[发明专利]一种半导体器件的加热方法及装置有效

专利信息
申请号: 201110028275.2 申请日: 2011-01-26
公开(公告)号: CN102163583A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: 王晓忠;于广;梁建长 申请(专利权)人: 京信通信技术(广州)有限公司
主分类号: H01L23/34 分类号: H01L23/34
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 王昕;曾旻辉
地址: 510663 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体器件 加热 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体器件的加热方法,其包括利用电加热体对PCB板上的需要加热的半导体器件进行加热的步骤,其特征在于:所述电加热体先将所述PCB板的底座加热,再通过底座传热到所述半导体器件。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的加热方法,其特征在于:所述电加热体为PTC加热器。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的加热方法,其特征在于:还包括利用控制模块控制所述电加热体开闭的步骤;所述控制模块监测所述半导体器件表面的温度和/或所述半导体器件所在回路的电流,当该温度小于温度设定值的最小值和/或该电流小于电流设定值的最小值时,所述电加热体开始加热,当该温度大于温度设定值的最大值和/或该电流大于电流设定值的最大值时,所述电加热体停止加热。

4.一种半导体器件的加热装置,其包括导热的底座、固定于底座上的PCB板、设于PCB板上的需要加热的半导体器件以及电加热体,其特征在于:在所述底座上分别设有第一腔室和第二腔室,所述需要加热的半导体器件容纳于该第一腔室内,且该半导体器件的顶面与该第一腔室的底面直接接触或者通过设于两者之间的导热体接触,所述加热体固定于该第二腔室内。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的加热装置,其特征在于:所述电加热体为PTC加热器。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的加热装置,其特征在于:所述PTC加热器包括外壳及固定于该外壳内的PTC元件,该外壳经螺钉固定于所述第二腔室的底面上。

7.根据权利要求4所述的半导体器件的加热装置,其特征在于:所述导热体为导热硅胶垫。

8.根据权利要求4所述的半导体器件的加热装置,其特征在于:所述电加热体的电源引线上设有插头,在所述PCB板板上设有与该插头相匹配的插座。

9.根据权利要求4至8任一项所述的半导体器件的加热装置,其特征在于:还包括用于控制所述电加热体开闭的控制模块,该控制模块监测所述半导体器件表面的温度和/或所述半导体器件所在回路的电流,当该温度小于温度设定值的最小值和/或该电流小于电流设定值的最小值时,打开所述电加热体的电源,当该温度大于温度设定值的最大值和/或该电流大于电流设定值的最大值时,关闭所述电加热体的电源。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的加热装置,其特征在于:在所述底座上设有散热齿片。

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