[发明专利]直流电源输入防反接和缓启动保护方法及装置

权利要求书

1.一种直流电源输入防反接和缓启动保护方法，其特征在于，包括：

在上电过程中，当直流电源的输入电压高于第二输入电压时，所述直流电源的输入电压开始向防反接和缓启动电路中防反接MOSFET的栅极供电，并控制所述防反接和缓启动电路开始工作；

在下电过程中，当直流电源的输入电压低于第一输入电压时，所述直流电源的输入电压停止向所述防反接MOSFET的栅极供电，并控制所述防反接和缓启动电路停止工作；

其中，所述第一输入电压低于所述第二输入电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

当所述直流电源的输入电压开始向所述防反接MOSFET的栅极供电时，所述防反接MOSFET的栅极电压在所述防反接和缓启动电路中缓启动单元控制下缓慢上升，促使所述防反接MOSFET导通。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

当所述直流电源的输入电压停止向所述防反接MOSFET的栅极供电时，所述防反接MOSFET的栅极电压在所述缓启动单元控制下下降到第一设定电压，并开始迅速下降促使所述防反接MOSFET关闭。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当所述防反接MOSFET的栅极电压上升到第二设定电压时，所述防反接和缓启动电路完成缓启动功能并开始正常工作。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一设定电压低于所述第二设定电压。

6.一种直流电源输入防反接和缓启动保护装置，其特征在于，所述装置包括防反接和缓启动电路以及开关控制器；

所述开关控制器，用于接收直流电源的输入电压，并耦合至所述防反接和缓启动电路中防反接MOSFET的栅极，在上电过程中，当直流电源的输入电压高于第二输入电压时，开始利用所述直流电源的输入电压向所述防反接MOSFET的栅极供电，并控制所述防反接和缓启动电路开始工作，在下电过程中，当直流电源的输入电压低于第一输入电压时，停止利用所述直流电源的输入电压向所述防反接MOSFET的栅极供电，并控制所述防反接和缓启动电路停止工作；

所述防反接和缓启动电路包括：所述防反接MOSFET以及缓启动单元，所述防反接MOSFET用于防止反接，所述缓启动单元用于在所述上电过程中实现缓启动；

其中，所述第一输入电压低于所述第二输入电压。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述缓启动单元，用于当所述开关控制器开始利用直流电源的输入电压向所述防反接MOSFET的栅极供电时，控制所述防反接MOSFET的栅极电压缓慢上升，促使所述防反接MOSFET导通。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述缓启动单元，还用于当所述开关控制器停止利用直流电源的输入电压向所述防反接MOSFET的栅极供电时，控制所述防反接MOSFET的栅极电压下降到第一设定电压，并开始迅速下降促使所述防反接MOSFET关闭。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述防反接和缓启动电路，还用于在所述防反接MOSFET的栅极电压上升到第二设定电压时，完成缓启动功能并正常工作。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述第一设定电压低于所述第二设定电压。