[发明专利]ZrB2-ZrC基耐超高温陶瓷的制备方法无效
| 申请号： | 201110026995.5 | 申请日： | 2011-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN102167592A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 王松;张守明;李伟;祝玉林;向阳;陈朝辉 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/56;C04B35/622 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人： | 赵洪;杨斌 |
| 地址： | 410073 湖南省长沙市德雅路109*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | zrb sub zrc 超高温 陶瓷 制备 方法 | ||
1. 一种ZrB2-ZrC基耐超高温陶瓷的制备方法，其特征在于包括以下工艺步骤：
（1）制备生坯：称取B4C粉和粘结剂聚碳硅烷，将称取的原料通过球磨混合，经模压或交联方式成型后，得到生坯；
（2）烧制多孔刚性预制体：将所述生坯经高温裂解，保温，得到多孔刚性预制体；
（3）熔渗反应：以所述多孔刚性预制体为基材，以含锆合金为熔渗剂，经熔渗反应，制得ZrB2-ZrC基耐超高温陶瓷半成品；
（4）高温处理：用B4C粉或SiC粉包埋所述ZrB2-ZrC基耐超高温陶瓷半成品，高温处理后制得ZrB2-ZrC基耐超高温陶瓷。
2. 根据权利要求1所述的ZrB2-ZrC基耐超高温陶瓷的制备方法，其特征在于：所述制备生坯步骤中，原料B4C粉和聚碳硅烷的质量比为（1～19）∶1。
3. 根据权利要求1所述的ZrB2-ZrC基耐超高温陶瓷的制备方法，其特征在于：所述制备生坯步骤中，称取的原料还包括填料SiC粉和/或造孔剂面粉。
4. 根据权利要求3所述的ZrB2-ZrC基耐超高温陶瓷的制备方法，其特征在于，制备所述生坯的原料质量百分数为：B4C粉50%～95%、SiC粉0～40%、面粉0～20%和聚碳硅烷5%～30%。
5. 根据权利要求1至4任一项所述的ZrB2-ZrC基耐超高温陶瓷的制备方法，其特征在于，所述成型方式为模压成型时，成型压力为100MPa～200MPa；所述成型方式为交联成型时，成型温度为120℃～200℃，保温时间3h～6h。
6. 根据权利要求1至4任一项所述的ZrB2-ZrC基耐超高温陶瓷的制备方法，其特征在于，所述烧制多孔刚性预制体步骤的工艺参数为：温度900℃～1600℃，保护气氛为氩气或真空，保温时间0.5h～1h。
7. 根据权利要求1至4任一项所述的ZrB2-ZrC基耐超高温陶瓷制备方法，其特征在于：所述含锆合金为质量比（0.6～9）∶1的锆和铜熔炼后的合金，或者为质量比（11～49）∶1的锆和硅熔炼后的合金。
8. 根据权利要求7所述的ZrB2-ZrC基耐超高温陶瓷的制备方法，其特征在于：所述熔炼方式为电弧熔炼或真空感应熔炼。
9. 根据权利要求1至4任一项所述的ZrB2-ZrC基耐超高温陶瓷的制备方法，其特征在于，所述熔渗反应的具体工艺为：以所述熔渗剂包埋所述基材，在真空或氩气气氛中加热至1100℃～1600℃，保温0.5h～5h后，分离出熔融的金属，得到ZrB2-ZrC基耐超高温陶瓷半成品。
10. 根据权利要求1至4任一项所述的ZrB2-ZrC基耐超高温陶瓷的制备方法，其特征在于，所述高温处理时的工艺参数优选为：加热温度1400℃～1700℃，保护气氛为真空或氩气保护，保温时间为0.5h～2h。
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