[发明专利]存储元件及半导体装置

权利要求书

1.一种存储元件，包括：

衬底；

在所述衬底上的第一导电层；

在所述第一导电层上的金属氧化物层；

在所述金属氧化物上的半导体层；

在所述半导体层上的有机化合物层；以及

在所述有机化合物层上的第二导电层，

其中，所述半导体层形成为岛状的层。

2.一种存储元件，包括：

衬底；

在所述衬底上的第一导电层；

在所述第一导电层上的金属氧化物层；

在所述金属氧化物上的半导体层；

在所述半导体层上的有机化合物层；以及

在所述有机化合物层上的第二导电层，

其中，所述半导体层形成为条纹状的层。

3.一种存储元件，包括：

衬底；

在所述衬底上的第一导电层；

在所述第一导电层上的金属氧化物层；

在所述金属氧化物上的半导体层；

在所述半导体层上的有机化合物层；以及

在所述有机化合物层上的第二导电层，

其中，所述半导体层形成为网状的层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的存储元件，其中，

所述第一导电层包括金属，并且，

所述金属氧化物层为所述第一导电层中所包括的所述金属的氧化物。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的存储元件，其中，

所述半导体层包括选自氧化钼、氧化锡、氧化铋、氧化钒、氧化钛、氧化铁、氧化铬、氧化铜、氧化锰硅、氧化镍、氧化锌、硅锗、砷化镓、氮化镓、氧化铟、磷化铟、氮化铟、硫化镉、碲化镉、以及钛酸锶中的任一种化合物。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的存储元件，其中，

所述有机化合物层包括电子传输材料或空穴传输材料，并且，

所述半导体层包括金属氧化物。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的存储元件，

还包括在所述衬底上的用作天线的第三导电层。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的存储元件，其中，

所述第一导电层电连接到薄膜晶体管。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的存储元件，其中，

所述衬底是柔性的。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的存储元件，其中，

所述有机化合物层能够通过在所述第一导电层和所述第二导电层之间施加电压来改变其形状。

11.一种电子设备，其中安装有根据权利要求1至3中任一项所述的存储元件。

12.一种半导体装置，包括形成在衬底上并被布置为矩阵状的多个存储元件，

所述多个存储元件中的每一个包括：在所述衬底上的第一导电层、在所述第一导电层上的金属氧化物层、在所述金属氧化物层上的半导体层、在所述半导体层上的有机化合物层、以及在所述有机化合物层上的第二导电层，

其中，所述半导体层形成为岛状的层。

13.一种半导体装置，包括形成在衬底上并被布置为矩阵状的多个存储元件，

所述多个存储元件中的每一个包括：在所述衬底上的第一导电层、在所述第一导电层上的金属氧化物层、在所述金属氧化物层上的半导体层、在所述半导体层上的有机化合物层、以及在所述有机化合物层上的第二导电层，

其中，所述半导体层形成为条纹状的层。

14.一种半导体装置，包括形成在衬底上并被布置为矩阵状的多个存储元件，

所述多个存储元件中的每一个包括：在所述衬底上的第一导电层、在所述第一导电层上的金属氧化物层、在所述金属氧化物层上的半导体层、在所述半导体层上的有机化合物层、以及在所述有机化合物层上的第二导电层，

其中，所述半导体层形成为网状的层。

15.根据权利要求12至14中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第一导电层包括金属，并且，

所述金属氧化物层为所述第一导电层中所包括的所述金属的氧化物。