[发明专利]复合材料及其发光元件、发光装置和电子装置有效
申请号: | 201110026716.5 | 申请日: | 2006-07-10 |
公开(公告)号: | CN102157706A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 濑尾哲史;小岛久味 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐予红;卢江 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合材料 及其 发光 元件 装置 电子 | ||
1.一种复合材料,包括:
有机化合物,所述有机化合物在室温下在二甲基甲酰胺中相对于二茂络铁的氧化-还原电势具有大于等于0V小于等于1.5V(相对于Fc/Fc+)范围的氧化峰电势;以及
金属氧化物,
其中有机化合物是从由咔唑衍生物、芳香族烃、金属合成物、有机金属合成物和高分子化合物构成的组中选择的一种。
2.如权利要求1所述的复合材料,其中金属氧化物相对于有机化合物显示出接受电子特性。
3.如权利要求1所述的复合材料,其中金属氧化物为过渡金属氧化物或者属于周期表中4至8族的金属氧化物。
4.如权利要求1所述的复合材料,其中金属氧化物是从由氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰和氧化铼构成的组中选择一种或者多种。
5.一种复合材料,包括:
有机化合物,所述有机化合物在室温下在二甲基甲酰胺中相对于二茂络铁的氧化-还原电势具有大于等于0.1V小于等于1.0V(相对于Fc/Fc+)范围的氧化峰电势;以及
金属氧化物,
其中有机化合物是从由咔唑衍生物、芳香族烃、金属合成物、有机金属合成物和高分子化合物构成的组中选择的一种。
6.如权利要求5所述的复合材料,其中金属氧化物相对于有机化合物显示出接受电子特性。
7.如权利要求5所述的复合材料,其中金属氧化物为过渡金属氧化物或者属于周期表中4至8族的金属氧化物。
8.如权利要求5所述的复合材料,其中金属氧化物是从由氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰和氧化铼构成的组中选择一种或者多种。
9.一种发光装置,包括:
位于衬底上的发光元件,所述发光元件包括:
位于一对电极之间的包括发光物质的层,
其中包括发光物质的层包含至少一个包括复合材料的层,
其中复合材料包括金属氧化物和有机化合物,所述有机化合物在室温下在二甲基甲酰胺中相对于二茂络铁的氧化-还原电势具有大于等于0V小于等于1.5V(相对于Fc/Fc+)范围的氧化峰电势,以及
其中有机化合物是从由咔唑衍生物、芳香族烃、金属合成物、有机金属合成物和高分子化合物构成的组中选择的一种。
10.如权利要求9所述的发光装置,其中金属氧化物相对于有机化合物显示出接受电子特性。
11.如权利要求9所述的发光装置,其中金属氧化物为过渡金属氧化物或者属于周期表中4至8族的金属氧化物。
12.如权利要求9所述的发光装置,其中金属氧化物是从由氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰和氧化铼构成的组中选择一种或者多种。
13.如权利要求9所述的发光装置,其中提供至少一个包括复合材料的层与一对电极中用作阳极的电极或者用作阴极的电极相接触。
14.如权利要求9所述的发光装置,其中提供至少一个包括复合材料的层分别与一对电极相接触。
15.如权利要求9所述的发光装置,其中所述发光装置还包括用于控制发光元件的光发射的控制装置。
16.如权利要求9所述的发光装置,其中所述发光装置包括在从由摄像机、数码相机、护目镜型显示器、导航系统、语音再现装置、计算机、游戏机、移动计算机、移动电话、便携式游戏机、电子书、配备有记录媒体的图像再现装置构成的组中所选择的电子装置中。
17.一种发光装置,包括:
位于衬底上的发光元件,所述发光元件包括:
位于一对电极之间的包括发光物质的层,
其中包括发光物质的层包含至少一个包括复合材料的层,
其中复合材料包括金属氧化物和有机化合物,所述有机化合物在室温下在二甲基甲酰胺中相对于二茂络铁的氧化-还原电势具有大于等于0.1V小于等于1.0V(相对于Fc/Fc+)范围的氧化峰电势,以及
其中有机化合物是从由咔唑衍生物、芳香族烃、金属合成物、有机金属合成物和高分子化合物构成的组中选择的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择