[发明专利]用于生长外延结构的掩模及其使用方法

权利要求书

1.一种用于生长外延结构的掩模，该掩模包括：一碳纳米管层，且该碳纳米管层具有多个开口，使得基底的外延生长面通过该多个开口部分暴露，通过该掩模使外延层从所述基底的外延生长面通过该开口暴露的部分生长。

2.如权利要求1所述的用于生长外延结构的掩模，其特征在于，所述碳纳米管层为一连续的整体结构。

3.如权利要求1所述的用于生长外延结构的掩模，其特征在于，所述碳纳米管层为一自支撑结构，该碳纳米管层直接铺设在所述基底的外延生长面。

4.如权利要求1所述的用于生长外延结构的掩模，其特征在于，所述碳纳米管层包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管沿着平行于碳纳米管层表面的方向延伸。

5.如权利要求1所述的用于生长外延结构的掩模，其特征在于，所述开口的尺寸为10纳米～500微米。

6.如权利要求5所述的用于生长外延结构的掩模，其特征在于，所述开口的尺寸为10纳米～120微米。

7.如权利要求6所述的用于生长外延结构的掩模，其特征在于，所述开口的尺寸为10纳米～80微米。

8.如权利要求7所述的用于生长外延结构的掩模，其特征在于，所述开口的尺寸为10纳米～10微米。

9.如权利要求5至8中任一项所述的用于生长外延结构的掩模，其特征在于，所述碳纳米管层的占空比为1∶100～100∶1。

10.如权利要求5至8中任一项所述的用于生长外延结构的掩模，其特征在于，所述碳纳米管层的占空比为1∶4～4∶1。

11.如权利要求1所述的用于生长外延结构的掩模，其特征在于，所述碳纳米管层的厚度为1纳米～100微米。

12.如权利要求1所述的用于生长外延结构的掩模，其特征在于，所述碳纳米管层包括至少一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个碳纳米管，且所述多个碳纳米管的轴向沿同一方向择优取向延伸。

13.如权利要求12所述的用于生长外延结构的掩模，其特征在于，所述轴向沿同一方向择优取向延伸的相邻的碳纳米管通过范德华力首尾相连。

14.如权利要求12所述的用于生长外延结构的掩模，其特征在于，所述碳纳米管层包括多个碳纳米管膜层叠设置。

15.如权利要求1所述的用于生长外延结构的掩模，其特征在于，所述碳纳米管层包括多个平行且间隔设置的碳纳米管线。

16.如权利要求1所述的用于生长外延结构的掩模，其特征在于，所述碳纳米管层包括多个交叉设置的碳纳米管线。

17.如权利要求15或16所述的用于生长外延结构的掩模，其特征在于，所述碳纳米管线的直径为0.5纳米～100微米，相邻两个平行设置的碳纳米管线之间的距离为0.1微米～200微米。

18.如权利要求1所述的用于生长外延结构的掩模，其特征在于，所述碳纳米管层为一包括多个碳纳米管以及添加材料的复合结构。

19.如权利要求18所述的用于生长外延结构的掩模，其特征在于，所述添加材料包括石墨、石墨稀、碳化硅、氮化硼、氮化硅、二氧化硅及无定形碳中的一种或多种。

20.如权利要求18所述的用于生长外延结构的掩模，其特征在于，所述添加材料包括金属碳化物、金属氧化物及金属氮化物中的一种或多种。

21.如权利要求18所述的用于生长外延结构的掩模，其特征在于，所述添加材料包覆于碳纳米管的至少部分表面或设置于碳纳米管层的开口内。

22.一种用于生长外延结构的掩模，该掩模包括：一碳纳米管层，该碳纳米管层包括多个定向排列且沿着平行于碳纳米管层表面的方向延伸的碳纳米管，且该多个碳纳米管之间具有多个开口，使得基底的外延生长面通过该多个开口部分暴露，通过该掩模使外延层从所述基底的外延生长面通过该开口暴露的部分生长。

23.一种用于生长外延结构的掩模，该掩模包括：一图形化的碳纳米管层，该图形化的碳纳米管层具有多个开口，使得基底的外延生长面通过该多个开口部分暴露，通过该掩模使外延层从所述基底的外延生长面通过该开口暴露的部分生长。