[发明专利]静态随机存取存储器以及静态随机存取存储器方法

说明书

技术领域

本发明主要涉及一种集成电路，特别涉及一种存储器电路。

背景技术

关于一静态随机存取存储器(Static Random Access Memory或SRAM)，可利用一写入追踪电路(write tracking circuit)或一模拟存储器单元(emulation memory cell)以决定其写入时间。根据上述写入时间，可决定用于一写入操作的一字线脉冲的宽度。在传统的方法中，写入追踪电路或模拟存储器单元使用设置于一存储器阵列区域外的逻辑装置，当上述逻辑装置与存储器单元位于不同程序、电压、以及温度(process voltage temperature或PVT)的情况下时，传统写入追踪电路或模拟存储器单元幷无法提供精准的写入追踪。此外，实际的存储器阵列中具有不同的电路负载(例如，电容)，以及不同的装置特性(例如，电流，装置速度，等等)，故难以完成精确的写入追踪。

因此，需要一种新的电路及方法以解决上述问题。

发明内容

为克服上述现有技术的缺陷，根据本发明一实施例提供一种静态随机存取存储器，包括：至少二存储器单元，共用一读取位元线以及一写入位元线，各上述存储器单元分别耦接至对应的读取字线以及写入字线；以及一写入追踪控制电路，耦接至上述存储器单元以决定上述存储器单元的一写入时间，其中上述写入追踪控制电路接收一输入电压以及提供一输出电压，且于一写入追踪操作期间设定各上述存储器单元的上述读取字线以及写入字线。

根据本发明一实施例提供一种静态随机存取存储器方法，适用于一静态随机存取存储器，包括：于一写入追踪操作下同时写入一数据至共用一读取位元线以及一写入位元线的至少二存储器单元；从上述读取位元线读取写入至上述存储器单元的上述数据；以及利用一写入追踪控制电路决定上述静态随机存取存储器的一写入时间。

根据本发明一实施例提供一种静态随机存取存储器，包括：至少二存储器单元，共用一读取位元线以及一写入位元线，各上述存储器单元分别耦接至对应的读取字线以及写入字线；以及一写入追踪控制电路，耦接至上述存储器单元以决定上述存储器单元的一写入时间，上述写入追踪控制电路包括一第一PMOS晶体管，上述第一PMOS晶体管用以对上述写入位元线预充电，以及一第二PMOS晶体管，上述第二PMOS晶体管用以对上述读取位元线预充电，其中上述写入追踪控制电路接收一输入电压，其中于上述写入追踪操作期间上述输入电压同时写入存储器单元，于上述写入追踪操作期间根据耦接至上述存储器单元的上述读取位元线提供一输出电压，且于一写入追踪操作期间可设定各上述存储器单元的上述读取字线以及写入字线。

根据本发明的静态随机存取存储器可完成精确的写入追踪。

附图说明

参考以下详细说明并配合附图：

图1是显示根据一些实施例的具有一写入追踪控制电路的一静态随机存取存储器的范例；

图2是显示用于图1所示的具有一写入追踪控制电路的静态随机存取存储器在写入追踪操作期间的多种波形；以及

图3为一流程图，显示一示范的方法用于图1所示的具有写入追踪控制电路的静态随机存取存储器。

其中，附图标记说明如下：

100～静态随机存取存储器； 102～存储器单元；

106～写入追踪控制电路；   108、114、116～反相器；

110、112～反相器组；

202、204、206、208、210、212～波型；

302、304、306～步骤；

N1～NMOS晶体管；

P1、P2～PMOS晶体管；

RBL～读取位元线；    Vout～输出电压；

RBLB～读取位元线带； WBL～写入位元线；

RWL～读取字线；          WBLB～写入位元线带；

T_write～写入时间；      WWL～写入字线；

Vdd、VSS、V1、V2～电压； Vin～输入电压。

具体实施方式

本发明制造以及应用的实施例详述于下文。应了解到，本发明提供多种可应用的发明概念，其可实现说明书中特定内容的多种变化。其中特定的实施例仅以一特定的制造和应用方式作举例，并非限制于其揭示的范围。