[发明专利]电流模式可编程基准电路及其方法有效

专利信息
申请号: 201110024674.1 申请日: 2011-01-24
公开(公告)号: CN102193578A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: R·H·雅各布;A·佩特罗伊努 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: G05F3/30 分类号: G05F3/30
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 申发振
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 电流 模式 可编程 基准 电路 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种电路,包括:

第一电流路径,其包括具有可编程阈值电压的第一浮栅晶体管;

第二电流路径,其包括:

具有可编程阈值电压的第二浮栅晶体管;以及

电阻器;以及

差动放大器,其包括被耦合到所述第一电流路径的第一输入端、被耦合到所述第二电流路径的第二输入端、以及被配置为控制基准电流路径的输出端。

2.权利要求1的电路,还包括:

电源端子;

第一p沟道晶体管,其包括被耦合到所述电源端子的源极端子、被耦合到所述第一电流路径的漏极端子、以及被耦合到所述差动放大器的输出端的栅极端子;以及

第二p沟道晶体管,包括被耦合到所述电源端子的源极端子、被耦合到所述第二电流路径的漏极端子、以及被耦合到所述差动放大器的输出端的栅极端子。

3.权利要求2的电路,还包括:

基准电流路径,其包括:

第三p沟道晶体管,其包括被耦合到所述电源端子的源极端子、载送基准电流的漏极端子、以及被耦合到所述差动放大器的输出端的栅极端子;

基准电阻器,其包括被耦合到所述第三p沟道晶体管的漏极的第一端子。

4.权利要求1的电路,还包括具有基准阈值的基准晶体管。

5.权利要求4的电路,还包括相对于所述基准晶体管的阈值来配置所述第一浮栅晶体管的编程电路。

6.一种电路,包括:

电流反射镜,其包括多个晶体管,所述多个晶体管包括用于提供基准电流的输出晶体管;

放大器电路,其包括被配置为控制通过所述电流反射镜的电流的输出端,并包括第一输入端和第二输入端;

电阻器,其包括被耦合到所述第二输入端的第一端子,并包括第二端子;

第一浮栅晶体管,其包括被耦合到所述第一输入端的第一端子且可编程以限定第一阈值电压;

第二浮栅晶体管,其包括被耦合到所述电阻器的第二端子的第一端子且可编程以限定第二阈值电压。

7.权利要求6的电路,其中,所述第一浮栅晶体管和所述第二浮栅晶体管包括p沟道晶体管,并且其中,所述第一浮栅晶体管和所述第二浮栅晶体管的第一端子包括源极端子。

8.权利要求6的电路,其中,所述第一浮栅晶体管和所述第二浮栅晶体管包括n沟道晶体管,并且其中,所述第一浮栅晶体管和所述第二浮栅晶体管的第一端子包括漏极端子。

9.一种提供基准电流的方法,该方法包括:

对第一浮栅晶体管的阈值电压进行编程;

选择性地对第二浮栅晶体管的阈值电压进行编程;以及

在电阻器两端施加与所述第一浮栅晶体管和所述第二浮栅晶体管的阈值电压有关的电压以产生基准电流。

10.权利要求9的方法,其中,选择性地对第二浮栅晶体管的阈值电压进行编程包括:相对于基准晶体管的基准阈值电压和所述第一浮栅晶体管的阈值电压中的一个选择性地对所述第二浮栅晶体管的阈值电压进行编程。

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