[发明专利]适应用于UHFRFID无源标签芯片的单栅存储器无效
| 申请号： | 201110024509.6 | 申请日： | 2011-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102122529A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 庄奕琪;李小明;郎卫义;吴赞进;刘伟峰 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/14 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 适应 用于 uhfrfid 无源 标签 芯片 存储器 | ||
1.一种适应用于UHF RFID无源标签芯片的单栅存储器，包括多个存储单元，其特征在于，每个存储单元包括：擦除晶体管(110)，编程晶体管(120)，译码晶体管(130)以及耦合晶体管(140)；该耦合晶体管(140)的源极、漏极与衬底连接在一起，构成耦合端子(CO)；该擦除晶体管(110)的源极、漏极与衬底连接在一起，构成擦除端子(ER)；该编程晶体管(120)的源极与衬底连接在一起，构成编程端子(PR)；译码晶体管(130)的源极和衬底分别与编程晶体管(120)的漏极和衬底连接，译码晶体管(130)的漏极输出数据；所述的耦合晶体管(140)、编程晶体管(120)和擦除晶体管(110)三管的栅极并接，共享浮栅。
2.如权利要求1所述的单栅存储器，其特征在于所述擦除晶体管(110)的栅极区与编程晶体管(120)的栅极区面积均小于耦合晶体管(140)的栅极区面积。
3.如权利要求1所述的单栅存储器，其特征在于编程晶体管(120)、耦合晶体管(140)、译码晶体管(130)和擦除晶体管(110)均采用PMOS晶体管。
4.如权利要求1或2所述的单栅存储器，其特征在于编程晶体管(120)与译码晶体管(130)驻留在第一N阱(233)中，耦合晶体管(140)驻留在第二N阱(223)中，擦除晶体管(110)驻留在第三N阱(213)中。
5.如权利要求1或2或3所述的单栅存储器，其特征在于编程晶体管(120)、译码晶体管(130)、耦合晶体管(140)和擦除晶体管(110)，具有相同的栅极氧化物厚度。
6.如权利要求1所述的单栅存储器，其特征在于编程晶体管(120)的编程端子(PR)、擦除晶体管(110)的擦除端子(ER)和耦合晶体管(140)的耦合端子(CO)，这三端容性耦合的电势，叠加后形成浮栅上的电势。
7.如权利要求1所述的单栅存储器，其特征在于编程晶体管(120)、译码晶体管(130)、耦合晶体管(140)和擦除晶体管(110)均为单栅结构。
8.如权利要求1所述的单栅存储器，其特征在于擦除晶体管(110)的擦除端子(ER)、编程晶体管(120)的编程端子(PR)、译码晶体管(130)的译码端子(DE)与耦合晶体管(140)的耦合端子(CO)在编程操作、擦除操作、读取操作时分别施加不同的电压组合，即：
编程操作时，将译码晶体管(130)的译码端子(DE)偏置在电路的工作电压Vdd上，耦合晶体管(140)的耦合端子(CO)与擦除晶体管(110)的擦除端子(ER)均施加一个高于Vdd的第一电压，编程晶体管(120)的编程端子(PR)接0电压；
擦除操作时，将译码晶体管(130)的译码端子(DE)偏置在电路的工作电压Vdd的电压上，耦合晶体管(140)的耦合端子(CO)与编程晶体管(120)的编程端子(PR)接0电压，擦除晶体管(110)的擦除端子(ER)施加一个高于工作电压Vdd的第二电压；
读取操作时，将编程晶体管(120)的编程端子(PR)偏置在电路的工作电压Vdd的电压上，擦除晶体管(110)的擦除端子(ER)、耦合晶体管(140)的耦合端子(CO)和译码晶体管(130)的译码端子(DE)均接0电压。
9.如权利要求1或8所述的单栅存储器，其特征在于所述的第一电压不高于6V，所述第二电压与所述第一电压大小相同。
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