[发明专利]一种研磨垫及其制备方法、使用方法有效
| 申请号： | 201110023424.6 | 申请日： | 2011-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102601747A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 邵群 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24D13/14 | 分类号： | B24D13/14;B24D18/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 研磨 及其 制备 方法 使用方法 | ||
1.一种研磨垫，包括：基底和固结在所述基底上的若干分立的磨料块，其特征在于，所述磨料块具有至少两种高度。
2.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，所述磨料块高度为10～50微米。
3.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，所述任意两种高度的磨料块高度至少相差3～5微米。
4.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，所述磨料块高度为2～20种。
5.根据权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，所述磨料块的宽度为50～200微米。
6.一种研磨垫的制备方法，包括：
将磨料颗粒与有机聚合物混合形成混合物；
将所述混合物涂布在基底上；
用模具压制混合物，形成具有至少两种高度的磨料块，所述模具具有与所述磨料块相匹配的至少两种深度的凹印图案；
将所述磨料块进行固结。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述磨料颗粒为二氧化铈、二氧化硅、金刚石、氧化锆、氧化铝和氮化硅中的一种或多种。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述磨料块的高度为2～20种。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述磨料块高度为10～50微米。
10.根据权利要求6所述的研磨垫，其特征在于，所述磨料块由高到低或由低到高或高低间隔周期性排列在所述基底上。
11.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述任意两种高度的磨料块高度至少相差3～5微米。
12.一种应用权利要求1所述的研磨垫进行研磨的方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供研磨垫，所述研磨垫上的磨料块具有至少两种高度；
将晶圆放置在所述研磨垫上，加入研磨液，进行研磨。
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