[发明专利]高压LDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种高压LDMOS器件，其特征是，所述高压LDMOS器件的结构为：

在低掺杂衬底中具有漂移区和体区，漂移区的掺杂类型与衬底相反，体区的掺杂类型与衬底相同；

在漂移区的表面具有漂移区反型层，漂移区反型层的掺杂类型与漂移区相反；

在体区的表面具有隔离结构一；在漂移区的表面具有隔离结构二，隔离结构二还在漂移区反型层之上；在漂移区的表面还具有隔离结构三和隔离结构四；

在体区和隔离结构二之上具有多晶硅栅极和多晶硅场板；多晶硅栅极的一端在体区之上，另一端在隔离结构二之上；多晶硅场板在隔离结构二之上；

在体区之中具有体电极引出端和源区引出端，体电极引出端在隔离结构一和源区引出端之间，掺杂类型与体区掺杂类型相同；源区引出端在体电极引出端和多晶硅栅极之间，掺杂类型与体区相反；

在漂移区之中具有漏区引出端和反型掺杂环，漏区引出端的掺杂类型与漂移区相同，反型掺杂环的掺杂类型与漏区引出端相反；所述反型掺杂环从俯视角度呈现为环形围绕着漏区引出端，从剖视角度则呈现为两段相互间隔的结构，其中的一段结构在隔离结构二和隔离结构三之间；漏区引出端10在隔离结构三和隔离结构四之间；

源极、栅极和漏极均为金属电极；源极的底部同时接触体电极引出端和源极引出端；栅极的底部接触多晶硅栅极；漏极的底部同时接触漏端多晶硅场板、反型掺杂环和漏区引出端。

2.一种高压LDMOS器件，其特征是，所述高压LDMOS器件的结构为：

在低掺杂衬底中具有漂移区和体区，漂移区的掺杂类型与衬底相反，体区的掺杂类型与衬底相同；

在漂移区的表面具有漂移区反型层，漂移区反型层的掺杂类型与漂移区相反；

在体区的表面具有隔离结构一；在漂移区的表面具有隔离结构二，隔离结构二还在漂移区反型层之上；在漂移区的表面还具有隔离结构三；

在体区和隔离结构二之上具有多晶硅栅极和多晶硅场板；多晶硅栅极的一端在体区之上，另一端在隔离结构二之上；多晶硅场板在隔离结构二之上；

在体区之中具有体电极引出端和源区引出端，体电极引出端在隔离结构一和源区引出端之间，掺杂类型与体区相同；源区引出端在体电极引出端和多晶硅栅极之间，掺杂类型与体区相反；

在漂移区之中具有漏区引出端和反型掺杂环，漏区引出端的掺杂类型与漂移区相同，反型掺杂环的掺杂类型与漂移区相反；所述反型掺杂环从俯视角度呈现为环形围绕着漏区引出端，从剖视角度则呈现为两段相互间隔的结构，其中的一段结构在隔离结构二和漏区引出端之间；漏区引出端在反型掺杂环和隔离结构三之间；

源极、栅极和漏极均为金属电极；源极的底部同时接触体电极引出端和源极引出端；栅极的底部接触多晶硅栅极；漏极的底部同时接触漏端多晶硅场板、反型掺杂环和漏区引出端。