[发明专利]一种制备多晶硅薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110022936.0 | 申请日： | 2011-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102041552A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 羊亿;李广;左敏 | 申请（专利权）人： | 湖南师范大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B25/02;C23C16/24;C23C16/02 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所 43205 | 代理人： | 赵静华 |
| 地址： | 410081*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 多晶 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，在制备多晶硅薄膜前先沉积一层金属做为诱导层，使诱导生长与晶化同时进行。
2.根据权利要求1所述的制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）金属诱导生长层的制备：在衬底上采用磁控溅射或真空热蒸发方法，制备一层厚度为1～10纳米的金属诱导生长层；
（2）等离子增强化学气相沉积：将镀有金属诱导生长层的衬底置于等离子增强化学气相沉积系统中，采用高氢稀释硅烷作为反应气体，沉积多晶硅薄膜。
3.根据权利要求2所述的制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，所述衬底是FTO、ITO、AZO透明导电玻璃或FTO、ITO、AZO透明导电柔性材料。
4.根据权利要求2所述的制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，所述金属诱导生长层制备中的金属为Ni、Cu、Al、Au、Pd、Ag或Pt。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南师范大学，未经湖南师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110022936.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：缝纫机的剪线装置
- 下一篇：一种储罐内专用参比电极
