[发明专利]光伏电池以及半导体元件的制作方法

权利要求书

1.一种光伏电池的制作方法，包括：

提供一半导体基板，该半导体基板具有一第一表面与一第二表面，该第二表面相对于该第一表面；

在该半导体基板中形成一邻近该第一表面的第一掺杂区；

进行一纳米压印工艺与一蚀刻工艺以于该半导体基板中形成一沟槽，该沟槽自该第一表面延伸入该半导体基板中；

于该半导体基板中形成一位于该沟槽中的第二掺杂区，该第二掺杂区的掺杂浓度大于该第一掺杂区的掺杂浓度；以及

以一导电材料填满该沟槽。

2.如权利要求1所述的光伏电池的制作方法，其中提供具有该第一表面的该半导体基板的方法包括：

使该第一表面形成一纹理结构。

3.如权利要求1所述的光伏电池的制作方法，其中进行该纳米压印工艺的方法包括：

在该半导体基板的该第一表面上形成一遮蔽层；

提供一模具，该模具具有一图案；以及

将该图案转移至该遮蔽层，以依据该图案在该遮蔽层中形成一厚度差。

4.如权利要求1所述的光伏电池的制作方法，其中该蚀刻工艺的方法包括：

进行一干式蚀刻工艺或是一湿式蚀刻工艺，其中进行该干式蚀刻工艺的方法包括使用氟化硫、氟化碳或氯气等离子体，进行该湿式蚀刻工艺的方法包括使用氢氟酸溶液。

5.如权利要求1所述的光伏电池的制作方法，其中形成该第二掺杂区的方法包括：

进行一热扩散工艺或一离子注入工艺。

6.如权利要求1所述的光伏电池的制作方法，其中以该导电材料填满该沟槽的方法包括：

进行一网板印刷工艺。

7.如权利要求1所述的光伏电池的制作方法，其中：

该半导体基板为一P型掺杂的基板；

该第一掺杂区为一N型掺杂区；以及

该第二掺杂区为一N+型掺杂区。

8.一种半导体元件的制作方法，包括：

提供一半导体基板，该半导体基板具有一纹理结构化表面；

提供一模具，该模具具有一可设计的图案特征，该可设计的图案特征定义出一电极线的位置；

于该半导体基板上形成一光致抗蚀剂层；

将具有该可设计的图案特征的该模具压入该光致抗蚀剂层中；

由该光致抗蚀剂层移除该模具，并留下一图案化光致抗蚀剂层，该图案化光致抗蚀剂层具有一开口，该开口暴露出该半导体基板；

蚀刻该半导体基板的由该开口所暴露出的部分，以于该半导体基板中形成一沟槽，该沟槽由该纹理结构化表面延伸入该半导体基板中；

于该半导体基板中形成一位于该沟槽中的第一掺杂区；以及

以一导电材料填满该沟槽，以形成该电极线。

9.如权利要求8所述的半导体元件的制作方法，还包括：

形成一邻近该纹理结构化表面的第二掺杂区，该第一掺杂区的掺杂浓度大于该第二掺杂区的掺杂浓度。

10.如权利要求8所述的半导体元件的制作方法，其中该基板的该纹理结构化表面包括一平坦表面部，该平坦表面部定义出一接触区域，且该可设计的图案特征包括一凸起结构，该凸起结构定义出该电极线的位置；以及

其中将具有该可设计的图案特征的该模具压入该光致抗蚀剂层的方法包括：

使该凸起结构与该接触区域对齐。