[发明专利]一种掩模板及其定位方法

权利要求书

1.一种掩模板，其特征在于，所述掩模板上具有至少一个用于定位的第一凹坑或通孔，用于与销钉套合。

2.根据权利要求1所述的掩模板，其中所述第一凹坑或通孔内嵌有销钉，所述销钉高度大于所述第一凹坑或通孔的深度。

3.根据权利要求1或2所述的掩模板，其中所述销钉还嵌入晶圆的第二凹坑或通孔中，所述销钉、第一凹坑或通孔以及第二凹坑或通孔的截面形状相同；以及

其中所述掩膜板上的第一凹坑或通孔与所述晶圆上的第二凹坑或通孔中至少一者为凹坑，并且

如果插入掩膜板和晶圆的销钉两端都为凹坑，则所述销钉高度大于所述晶圆上的第二凹坑深度，并且小于所述第一凹坑与第二凹坑的深度之和；

如果插入掩膜板和晶圆的销钉一端为凹坑另一端为通孔，则所述销钉的高度大于凹坑的深度。

4.根据权利要求3所述的掩模板，其中所述第一凹坑或通孔、第二凹坑或通孔或销钉的截面尺寸在0.1mm-10mm的范围内。

5.根据权利要求3或4所述的掩模板，其中所述第一凹坑或通孔、第二凹坑或通孔和销钉的加工误差小于10μm。

6.根据权利要求3或4所述的掩模板，其中所述销钉的截面尺寸小于所述第一凹坑或通孔、第二凹坑或通孔的截面尺寸，并且其与所述第一凹坑或通孔、第二凹坑或通孔的截面尺寸的差小于加工误差的2倍。

7. 根据权利要求1-6中任一项所述的掩模板，其中所述掩模板或所述销钉的材料为刚性材料。

8.根据权利要求7中任一项所述的掩模板，其中所述掩模板或所述销钉的材料选自以下一项或多项：金属、合金、硅或其它半导体材料、玻璃、氧化铝或其它金属氧化物材料、氮化硅或其它氮化物材料、有机玻璃或其它聚合物材料。

9.根据权利要求3或4所述的掩模板，其中所述第一凹坑或通孔、第二凹坑或通孔或销钉通过刻蚀形成。

10.一种掩模板的定位方法，包括步骤：

提供掩模板，所述掩模板至少一个用于定位的第一凹坑或通孔，用于与销钉套合；

通过销钉将所述第一凹坑或通孔与待处理晶圆上相应的第二凹坑或通孔套合实现所述掩模板与所述晶圆的定位，其中所述第一凹坑或通孔与所述第二凹坑或通孔中至少一者为凹坑。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

将所述销钉嵌入在所述掩模板上的第一凹坑或者所述晶圆上的第二凹坑内；

将所述待处理晶圆或所述掩模板贴合在所述掩模板或晶圆上，使所述晶圆上的第二凹坑或通孔或者所述掩模板的第一凹坑或通孔与所述销钉套合。

12.根据权利要求10或11所述的方法，其中所述销钉的截面与所述第一凹坑或通孔的截面形状相同，并且

如果插入掩膜板和晶圆的销钉两端都为凹坑，则所述销钉高度大于所述晶圆上的第二凹坑深度，并且小于所述第一凹坑与第二凹坑的深度之和；

如果插入掩膜板和晶圆的销钉一端为凹坑另一端为通孔，则所述销钉的高度大于凹坑的深度。

13.根据权利要求10-12中任一项所述的方法，其中所述第一凹坑或通孔、第二凹坑或通孔或销钉的截面尺寸在0.1mm-10mm的范围内。

14.根据权利要求10-13中任一项所述的方法，其中所述第一凹坑或通孔、第二凹坑或通孔或销钉的加工误差小于10μm。

15.根据权利要求10-14中任一项所述的方法，其中所述销钉的截面尺寸小于所述第一凹坑或通孔、第二凹坑或通孔的截面尺寸，并且其与所述第一凹坑或通孔、第二凹坑或通孔的截面尺寸的差小于加工误差的2倍。

16.根据权利要求10-15中任一项所述的方法，其中所述掩模板或所述销钉的材料为刚性材料。

17.根据权利要求16中任一项所述的方法，其中所述掩模板或所述销钉的材料选自以下一项或多项：金属、合金、硅或其它半导体材料、玻璃、氧化铝或其它金属氧化物材料、氮化硅或其它氮化物材料、有机玻璃或其它聚合物材料。

18.根据权利要求10-17中任一项所述的方法，其中所述第一凹坑或通孔、第二凹坑或通孔或销钉通过刻蚀形成。