[发明专利]一种高像素摄像模组以及芯片的烧录方法有效

专利信息
申请号: 201110021245.9 申请日: 2011-01-19
公开(公告)号: CN102158589A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 蔡赞赞;徐永松;徐重耀;史慧波 申请(专利权)人: 宁波舜宇光电信息有限公司
主分类号: H04M1/725 分类号: H04M1/725;G06F9/445;H04N5/225
代理公司: 北京高文律师事务所 11359 代理人: 徐江华
地址: 315400 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 像素 摄像 模组 以及 芯片 方法
【权利要求书】:

1.一种高像素摄像模组,包括光学检测元件、可编程芯片以及固定所述光学检测元件和可编程芯片的线路板,其特征在于,所述可编程芯片是一次性可编程芯片,并且,所述感光光学检测元件与所述芯片集成为一体,在所述芯片中烧录有所述光学检测元件的镜头一致性补偿参数,手机软件通过设定的格式读取所述参数,从而校正所述光学检测元件的光学精确度。

2.根据权利要求1所述的高像素摄像模组,其特征在于,所述一次性可编程芯片之中还烧录有用于表示摄像模组特性的区别特征参数。

3.一种用于权利要求1所述的高像素摄像模组上的芯片的烧录方法,包括下列步骤:(1)首先产生镜头一致性补偿参数;(2)对所述模组进行上电;(3)初始化一次性可编程芯片,并控制烧录电压上升到第一电压值,延迟设定的时间后,再控制烧录电压跳跃到第二电压值;(4)将镜头一致性补偿参数下载并烧录到所述一次性可编程芯片之中;(5)去掉烧录电压上面的第二电压值,完成烧录过程。

4.根据权利要求3所述的高像素摄像模组上的芯片的烧录方法,其特征在于,所述第一电压值是是2.5V,所述第二电压值在8.5V-9V之间,并且,所述延迟的时间是600ms。

5.根据权利要求4所述的高像素摄像模组上的芯片的烧录方法,其特征在于,所述第二电压值是8.5V。

6.根据权利要求3所述的高像素摄像模组上的芯片的烧录方法,其特征在于,所述方法还包括有下列步骤:(6)读取烧录后的芯片内部的烧录值并校验。

7.根据权利要求3所述的高像素摄像模组上的芯片的烧录方法,其特征在于,在步骤(4)中,对所述一次性可编程芯片进行烧录是采取硬件进行编程并且成组的方式写入。

8.根据权利要求7所述的高像素摄像模组上的芯片的烧录方法,其特征在于,在步骤(4)中,对所述一次性可编程芯片进行烧录是采取跳跃性的方式进行烧录的。

9.根据权利要求3所述的高像素摄像模组上的芯片的烧录方法,其特征在于,在步骤(4)中,包括:(41)将一次性可编程芯片内部的存储空间划分为多个参数空间;(42)在进行烧录的时候,同时烧录三套同样的镜头一致性补偿参数到对应的参数空间之中。

10.根据权利要求3所述的高像素摄像模组上的芯片的烧录方法,其特征在于,还包括有,在步骤(4)中,在烧录镜头一致性补偿参数的同时,还烧录有用于表示摄像模组特性的区别特征参数。

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