[发明专利]非对称高压MOS器件的制造方法及结构

权利要求书

1.一种非对称高压MOS器件的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤一、在版图设计过程中，保持非对称高压MOS器件的总尺寸、及源端的漂移区和体区的版图尺寸不变，对源区和所述源端的浅沟槽隔离区域的尺寸进行调节，所述源区和所述源端的浅沟槽隔离区域形成横向接触，保持所述源区和所述源端的浅沟槽隔离区域的总的横向尺寸不变、减少所述源端的浅沟槽隔离区域的横向尺寸、增大所述源区的横向尺寸；

步骤二、在制造过程中采用步骤一中所设计的所述源端的浅沟槽隔离区域版图形成非对称高压MOS器件的所述源端的浅沟槽。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述源端的浅沟槽隔离区域的横向尺寸小于漏端的浅沟槽隔离区域的横向尺寸；所述源区的横向尺寸大于漏区的横向尺寸。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述源端的浅沟槽隔离区域的横向尺寸比所述漏端的浅沟槽隔离区域的横向尺寸小0.2μm～0.6μm；所述源区的横向尺寸比所述漏区的横向尺寸大0.2μm～0.6μm。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非对称高压MOS器件为非对称高压NMOS器件，步骤二包括如下步骤：

在硅衬底上形成高压P阱的步骤；

在所述高压P阱中形成源端的N型漂移区、漏端的N型漂移区、源端的P阱、漏端的P阱；所述源端的P阱和所述漏端的P阱和所述高压P阱形成体区；所述源端的P阱和所述源端的N型漂移区相接触；

在硅衬底上形成浅沟槽，源端的浅沟槽形成于所述源端的N型漂移区中、漏端的浅沟槽形成于所述漏端的N型漂移区中，所述源端的浅沟槽的横向尺寸小于漏端的浅沟槽的横向尺寸；在所述浅沟槽填入氧化硅形成浅沟槽隔离氧化层，由所述浅沟槽和填充于所述浅沟槽氧化层组成浅沟槽隔离；

形成栅极，所述栅极由依次形成于硅衬底上的栅极氧化层和栅极多晶硅组成；所述源端的浅沟槽隔离氧化层和所述漏端的浅沟槽隔离氧化层之间的区域为沟道有源区，所述沟道有源区中包括了形成于其中的部分高压P阱、部分源端的N型漂移区和部分漏端的N型漂移区；所述栅极覆盖于所述沟道有源区上并延伸到所述沟道有源区两侧的浅沟槽隔离氧化层上；

进行N型离子注入形成源区、漏区，所述源区位于所述源端的浅沟槽隔离氧化层的远离栅极一侧的所述源端的N型漂移区中；所述漏区位于所述漏端的浅沟槽隔离氧化层的远离栅极一侧的所述漏端的N型漂移区中；进行P型离子注入形成源端体引出区和漏端体引出区，所述源端体引出区位于所述源端的P阱中并和所述源区相连接，所述漏端体引出区位于所述漏端的P阱中，所述漏端的P阱和所述漏区间隔离有浅沟槽隔离氧化层。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非对称高压MOS器件为非对称高压PMOS器件，步骤二包括如下步骤：

在硅衬底上形成高压N阱的步骤；

在所述高压N阱中形成源端的P型漂移区、漏端的P型漂移区、源端的N阱、漏端的N阱；所述源端的N阱和所述漏端的N阱和所述高压N阱形成体区；所述源端的N阱和所述源端的P型漂移区相接触；

在硅衬底上形成浅沟槽，源端的浅沟槽形成于所述源端的P型漂移区中、漏端的浅沟槽形成于所述漏端的P型漂移区中，所述源端的浅沟槽的横向尺寸小于漏端的浅沟槽的横向尺寸；在所述浅沟槽填入氧化硅形成浅沟槽隔离氧化层，由所述浅沟槽和填充于所述浅沟槽氧化层组成浅沟槽隔离；

形成栅极，所述栅极由依次形成于硅衬底上的栅极氧化层和栅极多晶硅组成；所述源端的浅沟槽隔离氧化层和所述漏端的浅沟槽隔离氧化层之间的区域为沟道有源区，所述沟道有源区中包括了形成于其中的部分高压N阱、部分源端的P型漂移区和部分漏端的P型漂移区；所述栅极覆盖于所述沟道有源区上并延伸到所述沟道有源区两侧的浅沟槽隔离氧化层上；

进行P型离子注入形成源区、漏区，所述源区位于所述源端的浅沟槽隔离氧化层的远离栅极一侧的所述源端的P型漂移区中；所述漏区位于所述漏端的浅沟槽隔离氧化层的远离栅极一侧的所述漏端的P型漂移区中；进行N型离子注入形成源端体引出区和漏端体引出区，所述源端体引出区位于所述源端的N阱中并和所述源区相连接，所述漏端体引出区位于所述漏端的N阱中，所述漏端的N阱和所述漏区间隔离有浅沟槽隔离氧化层。