[发明专利]LED外延片、LED结构及LED结构的形成方法

权利要求书

1.一种发光二极管LED外延片，其特征在于，包括：

衬底；

形成在所述衬底顶层之上的第一多孔结构层；

形成在所述第一多孔结构层之上的第二多孔结构层，其中，所述第二多孔结构层中的孔隙率和孔径均小于所述第一多孔结构层中的孔隙率和孔径；和

形成在所述第二多孔结构层之上的LED结构层，其中，所述LED结构层之中至少包括第一型半导体层、发光层和第二型半导体层。

2.如权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，还包括：

形成在所述第二多孔结构层和所述LED结构层之间的图形化结构层。

3.如权利要求1或2所述的LED外延片，其特征在于，还包括：

形成在所述第一多孔结构层和所述衬底之间的第三多孔结构层，所述第三多孔结构层中的孔隙率和孔径均小于所述第一多孔结构层中的孔隙率和孔径。

4.如权利要求1或2所述的LED外延片，其特征在于，所述第一多孔结构层中包括多个第一区域和间隔在所述两个第一区域之间的第二区域，其中，所述第一区域的孔隙率及孔径均大于所述第二区域的孔隙率及孔径。

5.如权利要求1或2所述的LED外延片，其特征在于，还包括：

形成在所述第二多孔结构层和所述LED结构层之间的AlN缓冲层。

6.一种LED外延片的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底顶层之上形成第一多孔结构层和第二多孔结构层，其中，所述第二多孔结构层中的孔隙率和孔径均小于所述第一多孔结构层中的孔隙率和孔径；和

在所述第二多孔结构层之上形成LED结构层，其中，所述LED结构层之中至少包括第一型半导体层、发光层和第二型半导体层。

7.如权利要求6所述的LED外延片的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述第二多孔结构层和所述LED结构层之间形成至少一层图形化结构层。

8.如权利要求6或7所述的LED外延片的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述第一多孔结构层和所述衬底之间形成第三多孔结构层，其中，所述第三多孔结构层中的孔隙率和孔径均小于所述第一多孔结构层中的孔隙率和孔径。

9.如权利要求6或7所述的LED外延片的形成方法，其特征在于，所述第一多孔结构层中包括多个第一区域和间隔在所述两个第一区域之间的第二区域，其中，所述第一区域的孔隙率及孔径均大于所述第二区域的孔隙率及孔径。

10.如权利要求6或7所述的LED外延片的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述第二多孔结构层和所述LED结构层之间形成AlN缓冲层。

11.一种LED结构的形成方法，其特征在于，包括：

通过权利要求6-10任一项所述的方法形成LED外延片；

在所述LED外延片的第二型半导体层之上形成第二电极；

将所述外延片翻转并转移至基板；

去除所述外延片中的第一多孔结构层、第二多孔结构层及所述衬底以暴露所述第一型半导体层；

在所述第一型半导体层之上形成第一电极层。

12.如权利要求11所述的LED结构的形成方法，其特征在于，所述去除外延片中的第一多孔结构层和第二多孔结构层及衬底进一步包括：

剥离所述外延片中的所述衬底，并继续在所述衬底之上重新生成新的多孔结构层及LED结构层以形成新的外延片；

去除所述第一多孔结构层和所述第二多孔结构层。

13.如权利要求11所述的LED结构的形成方法，其特征在于，还包括：

去除形成在所述第二多孔结构层和所述LED结构层之间的AlN缓冲层。

14.如权利要求11所述的LED结构的形成方法，其特征在于，所述基板为金属基板。

15.如权利要求11所述的LED结构的形成方法，其特征在于，所述基板为玻璃基板。

16.如权利要求15所述的LED结构的形成方法，其特征在于，所述玻璃基板具有多个与所述第二电极对应的通孔，所述通孔中填充有导电材料。