[发明专利]一种多晶硅薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种多晶硅薄膜晶体管的制备方法，所述多晶硅薄膜晶体管包括有源层，所述有源层由具有带状连续晶畴的多晶硅薄膜制成，该方法包括以下步骤：

1)在绝缘衬底上形成阻挡层，并在该阻挡层上沉积非晶硅薄膜层；

2)在所述非晶硅薄膜上形成氧化层，并对该氧化层进行光刻，以形成间距相同、尺寸相等的凹槽；

3)在所述氧化层及凹槽表面覆盖金属诱导层；

4)退火处理，退火温度为590℃，时间为1小时，以使非晶硅薄膜完全结晶，从而得到具有带状连续晶畴的多晶硅薄膜；

5)使用湿式刻蚀将所述步骤4)的多晶硅薄膜布图为有源岛；

6)在该有缘岛上沉积50nm低温氧化物作为栅绝缘层；

7)定义栅电极和扫描线，将4×10¹⁵/cm²的硼注入到源和漏中，然后沉积500nm的氧化物作为隔离层，在栅电极上开接触孔；

8)溅射700nm铝-1％硅并布图以互连，在420℃下接触烧结30分钟，同时激活掺杂剂。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽的间距在10μm～50μm之间。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述凹槽的间距为20～40μm。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述凹槽的间距为30μm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽的宽度在1μm～5μm之间。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述凹槽的宽度为1.5μm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽的长度与所述绝缘衬底的宽度相等。