[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管制备方法

权利要求书

1.一种金属氧化物薄膜晶体管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步、在衬底上采用磁控溅射技术沉积一层栅电极薄膜并采用湿法刻蚀得到栅极层；

第二步、在栅极层上采用等离子体增强化学气相沉积栅绝缘层；

第三步、在栅绝缘层上采用交流磁控溅射沉积金属氧化物，并采用湿法刻蚀得到金属氧化物层；

第四步、在金属氧化物层上依次沉积漏电极层和器件保护层，并通过湿法刻蚀得到漏电极，通过干法蚀刻得到位于器件保护层上的接触孔；

第五步、采用退火或等离子体处理接触孔中外露的金属氧化物使其转化成导体特性，实现晶体管制备。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管制备方法，其特征是，所述的磁控溅射技术是指：利用氩气等离子体在电场和磁场的作用下，被加速的高能离子轰击靶材表面，能量交换后，靶材表面的原子脱离原晶格而逸出，转移到基板表面而成膜，其中：溅射功率为100W，气体压力为1Pa，氩气流量为30sccm。

3.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管制备方法，其特征是，所述的湿法刻蚀是指：将刻蚀材料浸泡在刻蚀液内进行腐蚀的技术；所述的刻蚀液成分为：55wt％H₃PO₄、15wt％HNO₃以及5wt％CH₃COOH。

4.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管制备方法，其特征是，所述的等离子体增强化学气相沉积是指：在等离子体放电过程的辅助下反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的基板表面，进而制得固体薄膜的工艺技术，其中的栅绝缘层是指：二氧化硅或氮化硅。

5.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管制备方法，其特征是，所述的交流磁控溅射的溅射功率为80W，气压为1Pa，溅射气体中氧气与氩气的比例范围为：1∶20～1∶100。

6.根据上述任一权利要求所述的金属氧化物薄膜晶体管制备方法，其特征是，所述的金属氧化物是指：氧化锌、氧化铟镓锌、氧化铟锌或氧化铟镓，其载流子浓度在10¹³-10¹⁵/cm³。

7.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管制备方法，其特征是，第四步中所述的漏电极层是指：铝、钼或铬金属或其合金；所述的器件保护层是指：二氧化硅或氮化硅。

8.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管制备方法，其特征是，所述的干法刻蚀是指：采用SF₆和He作为反应气体进行薄膜刻蚀。

9.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管制备方法，其特征是，所述的退火是指：在真空或还原性气氛下在200～400℃加热处理的过程。

10.根据权利要求1所述的金属氧化物薄膜晶体管制备方法，其特征是，所述的等离子体处理是指：采用氩气对器件表面进行1～3分钟表面处理。