[发明专利]用于等离子体显示器的碳纳米管辅助结构的制备方法

权利要求书

1.一种用于等离子体显示器的碳纳米管辅助结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步、PDP前面板预处理，在介质层上溅射Cr-Cu种子层；

第二步、在种子层上依次进行旋涂光刻胶、烘胶、曝光、显影，留出要添加碳纳米管结构的指定区域；

第三步、对指定的区域进行掩膜复合电镀、复合化学镀或电泳，生长出复合碳纳米管结构：对碳纳米管进行前处理并以2-10g/L的比例将预分散后的碳纳米管在磁力搅拌、空气搅拌或超声搅拌的方式下进行复合镀或电泳；

第四步、用丙酮或乙醇分别对样品进行浸泡刻蚀，去除光刻胶；最后分别用碱性Cu刻蚀液和Cr刻蚀液完全去除Cr-Cu种子层，得到碳纳米管辅助结构。

2.根据权利要求1所述的碳纳米管辅助结构的制备方法，其特征是，第一步中所述的预处理是指用纳米碳酸钙调成糊状进行物理擦洗，以产生洁净且具有合适粗糙度的表面，然后洗净烘干；所述Cr-Cu种子层的厚度为100-1000nm。

3.根据权利要求1所述的碳纳米管辅助结构的制备方法，其特征是，所述的光刻胶厚度为2-10μm。

4.根据权利要求1所述的碳纳米管辅助结构的制备方法，其特征是，所述的前处理是指：对碳纳米管进行球磨分散后，用含有硫酸和硝酸的混和酸60-70℃下回流处理1-3h，冷却后用去离子水反复清洗至中性，最后过滤烘干。

5.根据权利要求1所述的碳纳米管辅助结构的制备方法，其特征是，所述的预分散是指：采用超声分散并添加分散剂和/或进行高速匀浆处理。

6.根据权利要求1所述的碳纳米管辅助结构的制备方法，其特征是，所述的复合镀所采用的基础镀液为pH为2-7的常规电镀液或化学镀液，设置的电流密度为0.5-6A/dm²，温度为20-70℃。

7.根据权利要求1所述的碳纳米管辅助结构的制备方法，其特征是，所述的电泳所采用 的电泳基础液为水、乙醇或异丙醇、添加剂为1-20g/L的硝酸镁或阳离子表面活性剂、电泳电压为3-20V，温度为5-40℃。

8.一种根据上述任一权利要求所述方法制备得到的碳纳米管辅助结构，其特征在于，包括：玻璃基板、玻璃粉介质层、ITO透明电极、汇流电极、辅助复合结构、氧化镁保护膜、障壁和寻址电极，其中：辅助复合结构、氧化镁保护膜和障壁分别位于上、下相对设置的两个玻璃粉介质层之间，上玻璃粉介质层、ITO透明电极和汇流电极依次由上而下设置，下玻璃粉介质层置于寻址电极之上，两块玻璃基板分别设置于上、下玻璃粉介质层的外侧。

9.根据权利要求8所述的碳纳米管辅助结构，其特征是，所述的障壁垂直于玻璃基板且位于氧化镁保护膜与下玻璃粉介质层之间的空隙处且与下玻璃粉介质层相连接。