[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，包括：

一基板；

一栅极电极，设置于该基板上；

一源极电极与一漏极电极，设置于该基板上，其中该源极电极与该漏极电极分别具有一上表面与一侧表面；

一栅极介电层，设置于该栅极电极与该源极电极/漏极电极之间；

一图案化氧化物半导体层，设置于该基板上，其中该图案化氧化物半导体层具有一通道区以及一非通道区，该非通道区至少部分覆盖该源极电极的该上表面与该侧表面以及至少部分覆盖该漏极电极的该上表面与该侧表面，该通道区位于该源极电极与该漏极电极之间的该基板之上；以及

一图案化含氢材料层，设置于该图案化氧化物半导体层上，其中该图案化含氢材料层至少覆盖部分的该图案化氧化物半导体层的该非通道区，且被该图案化含氢材料层所覆盖的该图案化氧化物半导体层的电阻率小于未被该图案化含氢材料层所覆盖的该图案化氧化物半导体层的电阻率。

2.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，该图案化含氢材料层更覆盖部分的该图案化氧化物半导体层的该通道区，并暴露出部分的该图案化氧化物半导体层的该通道区。

3.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，该源极电极与该漏极电极设置于该基板上，该栅极介电层设置于该源极电极与该漏极电极上，且该栅极电极设置于该栅极介电层上。

4.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，该栅极电极设置于该基板上，该栅极介电层设置于该栅极电极上，且该源极电极与该漏极电极设置于该栅极介电层上。

5.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，该图案化氧化物半导体层的材料包括氧化铟镓锌或氧化锌。

6.根据权利要求5所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，该图案化氧化物半导体层的厚度大体上介于10纳米至60纳米之间。

7.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，该图案化含氢材料层的材料包括含氢氮化硅、含氢氧化硅或含氢氮氧化硅。

8.一种制作氧化物半导体薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

于该基板上形成一栅极电极；

于该基板及该栅极电极上形成一栅极介电层；

于该栅极介电层上形成一源极电极与一漏极电极，该源极电极与该漏极电极分别具有一上表面与一侧表面；

于该源极电极、该漏极电极与该栅极介电层上形成一图案化氧化物半导体层，该图案化氧化物半导体层具有一通道区以及一非通道区，该非通道区至少部分覆盖该源极电极的一上表面与一侧表面以及至少部分覆盖该漏极电极的一上表面与一侧表面，该通道区位于该源极电极与该漏极电极之间的该栅极介电层上；

于该图案化氧化物半导体层上形成一图案化含氢材料层，该图案化含氢材料层至少覆盖部分的该图案化氧化物半导体层的该非通道区；以及

进行一退火工艺，将该图案化含氢材料层的氢向下驱入至该图案化氧化物半导体层内，以使得被该图案化含氢材料层所覆盖的该图案化氧化物半导体层的电阻率小于未被该图案化含氢材料层所覆盖的该图案化氧化物半导体层的电阻率。

9.根据权利要求8所述的制作氧化物半导体薄膜晶体管的方法，其特征在于，该退火工艺包括一准分子激光退火工艺。

10.根据权利要求9所述的制作氧化物半导体薄膜晶体管的方法，其特征在于，该准分子激光退火工艺的能量大体上介于50mJ/cm²至600mJ/cm²之间。

11.根据权利要求8所述的制作氧化物半导体薄膜晶体管的方法，其特征在于，该图案化氧化物半导体层的材料包括氧化铟镓锌或氧化锌。

12.根据权利要求11所述的制作氧化物半导体薄膜晶体管的方法，其特征在于，该图案化氧化物半导体层的厚度大体上介于10纳米至60纳米之间。

13.根据权利要求8所述的制作氧化物半导体薄膜晶体管的方法，其特征在于，该图案化含氢材料层的材料包括含氢氮化硅、含氢氧化硅或含氢氮氧化硅。

14.根据权利要求8所述的制作氧化物半导体薄膜晶体管的方法，其特征在于，该图案化含氢材料层更覆盖部分的该图案化氧化物半导体层的该通道区，并暴露出部分的该图案化氧化物半导体层的该通道区。