[发明专利]一种基于Pockels效应的二维表面电荷测量系统及其测量方法无效

专利信息
申请号: 201110009563.3 申请日: 2011-01-17
公开(公告)号: CN102175931A 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: 穆海宝;张冠军;黄学增;詹江杨 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: G01R29/14 分类号: G01R29/14
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 pockels 效应 二维 表面 电荷 测量 系统 及其 测量方法
【权利要求书】:

1.一种基于Pockels效应的二维表面电荷测量系统,其特征在于:包括测量核心单元、检偏器和相机,检偏器位于核心测量单元与相机之间;所述测量核心单元由LED平面光源、圆偏振片和Pockels晶体构成,圆偏振片设置在LED平面光源和Pockels晶体之间,Pockels晶体设置在靠近检偏器的一侧;所述Pockels晶体以光学玻璃为衬底,粘贴在光学玻璃的外侧,光学玻璃内侧镀有氧化铟锡透明导电薄膜做为地电极;在Pockels晶体外侧覆盖被测透明绝缘材料,被测透明绝缘材料上连接有接高压的针电极。

2.如权利要求1所述的二维表面电荷测量系统,其特征在于:所述测量核心单元还包括一个侧放的有机玻璃框架,LED平面光源设置在有机玻璃框架底部,在LED平面光源前方依次设置有圆偏振片和Pockels晶体;所述Pockels晶体附着在光学玻璃外侧。

3.如权利要求1所述的二维表面电荷测量系统,其特征在于:所述的LED平面光源产生面积为25mm×25mm、波长为651nm的红光。

4.如权利要求1所述的二维表面电荷测量系统,其特征在于:所述的圆偏振片由线偏振片和1/4波片胶合而成,尺寸为45mm×45mm,厚度为0.75mm。

5.如权利要求1所述的二维表面电荷测量系统,其特征在于:所述Pockels晶体采用Bi12SiO20晶体,通光面尺寸为20mm×20mm的方形,厚度为200μm,附着在1mm厚的光学玻璃上。

6.基于权利要求1、2、3、4或5所述电荷测量系统的测量方法,其特征在于:测量时,首先将被测透明绝缘材料覆盖到Pockels晶体上;打开LED平面光源,将圆偏振片反向插入有机玻璃框架,形成线偏振光,旋转检偏器找到最大光强和最小光强位置,并用相机拍摄记录最大光强和最小光强;然后将圆偏振片正向插入有机玻璃框架,形成圆偏振光;在针电极和氧化铟锡透明导电薄膜电极上施加电压,在材料表面上产生放电,表面电荷形成的电场作用在Pockels晶体时,Pockels晶体的折射率就会发生变换,利用上述光路的调制,这种折射率变换转换为光强的变化,通过相机采集光强信息就可以推算出应二维电荷分布。

7.基于权利要求6所述电荷测量系统的测量方法,其特征在于:所述相机拍摄是指:采用高速相机进行放电过程的连续拍摄,或者采用增强型电荷耦合器件相机进行单幅瞬时拍摄。

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