[发明专利]一种场效应晶体管的制备方法无效
| 申请号： | 201110009523.9 | 申请日： | 2011-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102104006A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 吴东平;朴颖华;朱志炜;张世理;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 卢刚 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
1.一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
提供第一型体衬底，利用光刻及刻蚀的方法形成浅槽，并在浅槽内生长形成二氧化硅浅槽隔离结构；
在衬底与浅槽隔离结构上淀积形成高K栅介质层以及金属栅电极层；
利用光刻及刻蚀等工艺形成栅极结构；
进行第二型体杂质离子注入，形成源漏扩展区；
淀积绝缘层，形成紧贴栅极边缘的侧墙；
进行第二型体杂质离子注入，形成第二型体场效应晶体管的源漏区，形成源漏区和硅衬底之间的PN结界面；
进行微波退火，激活注入的离子。
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制备方法，其特征在于：第一型体衬底可以为硅或绝缘体上的硅。
3.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制备方法，其特征在于：所述高K栅介质层可以为为氧化铪、氧化硅铪、氮氧硅铪、氮氧硅、氧化铝、氧化镧、或者氧化锆，或者上述物质组成的多层结构或者混合物。
4.根据权利要求3所述的场效应晶体管的制备方法，其特征在于：金属栅电极层为氮化钛、氮化钽、金属钨、金属铝、金属钌、金属铂、金属硅化物，或者上述物质组成的多层结构或混合物以及它们与多晶硅组成的多层结构。
5.根据权利要求4所述的场效应晶体管的制备方法，其特征在于：上述的金属硅化物是镍、钴、钛、铂等金属与硅的化合物。
6.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制备方法，其特征在于：第一型体衬底为P型时，第二型体杂质为N型杂质，离子注入为用磷或砷进行离子注入；第一型体衬底为N型时，第二型体杂质为P型杂质，离子注入为用硼、氟化硼、或铟进行离子注入。
7.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制备方法，其特征在于：在形成源漏扩展区之前进行第一型体杂质离子注入以形成晕圈区以改进器件的短沟道效应。
8.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制备方法，其特征在于：在形成源漏扩展区之后进行第一型体杂质离子注入以形成晕圈区以改进器件的短沟道效应。
9.根据权利要求7或8所述的场效应晶体管的制备方法，其特征在于：第一型体衬底为P型时，第一型体杂质为硼、氟化硼、或铟；第一型体衬底为N型时，第一型体杂质为磷或者砷。
10.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制备方法，其特征在于：退火温度不高于400摄氏度。
11.一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
提供衬底；
在衬底上淀积形成高K栅介质层以及金属栅电极层；
杂质离子注入，形成源漏区；
在衬底上淀积形成高K栅介质层、金属栅电极层和源漏区杂质离子注入之后，进行微波退火，激活源漏区注入的杂质离子。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110009523.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种非晶硅太阳能电池的激光划刻工艺
- 下一篇：无感电阻及制造无感电阻的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
