[发明专利]镀膜件及其制备方法

权利要求书

1.一种镀膜件，其包括基体及形成于基体表面的防腐蚀层，其特征在于：该防腐蚀层中含有钨酸锆和氮氧化铝。

2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述基体的材质为纯铝、铝合金、纯镁或镁合金。

3.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述防腐蚀层以磁控溅射的方式形成，其厚度为0.5～1.1μm。

4.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述防腐蚀层中钨酸锆的质量百分含量为15～35％。

5.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述防腐蚀层中钨酸锆填补氮氧化铝微粒间的空隙。

6.一种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤：

提供一基体；

采用磁控溅射法在该基体表面形成一防腐蚀层，该防腐蚀层中含有钨酸锆和氮氧化铝，使用铝基靶材，该铝基靶材中含有金属铝及钨酸锆，以氮气和氧气为反应气体。

7.如权利要求6所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述基体为纯铝、铝合金、纯镁或镁合金。

8.如权利要求6所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述铝基靶材中钨酸锆的质量百分含量为20～40％，剩余的为金属铝。

9.如权利要求8所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述铝基靶材采用粉末冶金的方法制备，按质量百分比为20～40％的钨酸锆粉体以及余量的铝粉混合均匀，冷等静压制成一坯体，再经800～880℃烧结2～5h后自然冷却。

10.如权利要求6所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述形成防腐蚀层的步骤的具体工艺参数为：铝基靶材的功率为6～8kw，基体的偏压为-50～-150V，以氩气为工作气体，氩气的流量为100～300sccm，以氮气和氧气为反应气体，氮气流量为10～20sccm，氧气流量为10～20sccm，镀膜温度为100～120℃，镀膜时间为30～120min。