[发明专利]半导体器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2010年7月30日提交的韩国专利申请No.10-2010-0073933的优先权，其全部内容通过引用合并在本文中。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及半导体器件的刷新技术。

背景技术

半导体器件的存储器单元包括用作开关的晶体管和用于储存表示数据的电荷的电容器。根据在存储器单元中的电容器中是否存在电荷来确定数据的‘高’(逻辑值1)状态和‘低’(逻辑值0)状态。即，在电容器的端电压为高的情况下，存储器单元被认为储存有高状态的数据，而在电容器的端电压为低的情况下，存储器单元被认为储存有低状态的数据。

由于数据储存是以将电荷积聚于电容器中的方式来执行的，因此理论上不发生电力消耗。然而，由于储存在电容器中的电荷的初始量因MOS晶体管的PN结等所导致的泄漏电流而改变，数据可能丢失。为了防止这种问题，有必要在数据丢失之前从存储器单元读取数据，并根据读取信息执行正常的再充电操作。只有在周期性地重复此操作时，才能实质地维持数据的储存。这种对存储器单元再充电的过程称为刷新操作。

在现有的半导体器件中，如果从存储控制器对半导体器件施加刷新命令，则半导体器件中的所有的存储体同时地执行刷新操作。例如，顺序地激活存储体0至7中的所有字线0至N并储存数据。

在现有的半导体器件中，因为同时刷新所有存储体，因此本质上一次消耗大量的电流。此外，由于同时刷新所有存储体，在刷新操作期间可能无法执行诸如读取操作或写入操作的操作。

发明内容

本发明的示例性实施例涉及一种半导体器件，在此半导体器件中根据存储体组执行刷新操作，并且不执行刷新操作的一些存储体组可以基于命令来执行诸如读取操作或写入操作的操作。

本发明的另一个示例性实施例涉及通过允许在存储体组的刷新操作时交替地刷新存储体组中的存储体，来减少半导体器件的电流消耗。

根据本发明的一个示例性实施例，一种用于控制包括半导体器件的多个层叠芯片的刷新操作的系统包括：各自包括至少两个存储体的多个存储体组；和以一对一的方式与多个存储体组相对应的多个地址计数器，其中，被选择的存储体组的刷新操作是响应于存储体组刷新命令而被执行的。

当施加存储体组刷新命令时，与被选择的存储体组相对应的地址计数器可以执行地址计数。

当施加全存储体刷新命令时，多个地址计数器可以执行地址计数，且所有的存储体组可以执行刷新操作。

可以由存储体组地址来选择存储体组。

当施加存储体组刷新命令时，可以顺序地刷新被选择的存储体组中的存储体，而当施加全存储体刷新命令时，可以顺序地刷新每个存储体组中的存储体。

当施加存储体组刷新命令时，可以同时地刷新被选择的存储体组中的存储体，而当施加全存储体刷新命令时，可以同时地刷新每个存储体组中的所有存储体。

除被选择的存储体组之外的存储体组可以根据命令来执行激活、读取或写入操作。

本发明的另一个示例性实施例旨在提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：各自包括至少两个存储体的多个存储体组；以一对一的方式与多个存储体组相对应的多个地址计数器；以及以一对一的方式与多个地址计数器相对应的多个地址选择器，其中，被选择的存储体组的地址选择器响应于存储体组刷新命令来选择由地址计数器计数的地址，且多个地址选择器响应于全存储体刷新命令来分别选择由地址计数器计数的地址。

多个地址选择器可以响应于激活命令来选择从半导体器件的外部输入的地址。

附图说明

图1是根据本发明的一个示例性实施例的半导体器件的图；

图2是说明图1所示的存储体组的结构的图；

图3是说明图2所示的存储体组的操作的图；

图4是根据另一个示例性实施例的图2所示的存储体激活电路的图；

图5是说明图2所示的具有图4所示的存储体激活电路的存储体组的操作的图；以及

图6是说明根据本发明的一个示例性实施例的针对半导体器件中的每个存储体组执行个别操作这一情况的图。

具体实施方式

下面将参照附图更加详细地描述本发明的示例性实施例。然而，本发明可以用不同的方式来实施，并且不应当被理解为限于本文所提出的实施例。确切地说，提供这些实施例是为了使得本说明书将是清楚且完整的，并且将会向本领域技术人员完全传达本发明的范围。在本说明书中，相同的附图标记在本发明的各个附图和实施例中表示相同的部件。