[发明专利]有机电致发光元件和使用其的发光装置无效
| 申请号: | 201110007210.X | 申请日: | 2011-01-14 |
| 公开(公告)号: | CN102130303A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
| 发明(设计)人: | 伊藤尚行;首藤章志;角田隆行;伊藤希之 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李帆 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 电致发光 元件 使用 发光 装置 | ||
技术领域
本发明涉及包括银薄膜电极并且具有高发光效率的有机电致发光(EL)元件和包括该有机EL元件的发光装置。
背景技术
有机EL元件包括第一电极、第二电极和设置在这两个电极之间的有机化合物层。从该第一电极或该第二电极(光取出电极)将该有机化合物层中的发光层中产生的光取出。已提出将银薄膜用作光取出电极。银具有高的电导率和可见光区中的高透射率。
但是,具有20nm以下的厚度的银薄膜通常是不连续膜,不仅具有小的电导率,而且由于局部表面等离波子共振引起的吸收而具有可见光区中的低透射率。为了防止由于银薄膜的局部表面等离波子共振引起的吸收,日本专利公开No.2008-171637公开了包括由层状透明导电膜构成的电极的有机EL元件。该层状透明导电膜由底层和银薄膜层组成,该底层由银以外的金属构成,该银薄膜层由银或银合金构成。银以外的金属优选选自金、铝、铜、铟、锡和锌。
但是,作为认真研究的结果,本发明人发现根据日本专利公开No.2008-171637的层状透明导电膜的结构不能充分防止由于局部表面等离波子共振引起的吸收。
发明内容
本发明提供包括银薄膜电极并且具有高发光效率的有机EL元件。
本发明提供有机EL元件,其在基板上包括第一电极、第二电极和有机化合物层。该有机化合物层具有在该第一电极和该第二电极之间配置的发光层。该第二电极从该基板侧以如下顺序(即,依次)包括第一金属层和第二金属层。该第二金属层与该第一金属层接触。该第二金属层含有Ag并且具有5.0nm-20nm的厚度。该第一金属层含有Mg和Ag并且具有1.0nm-5.0nm的厚度。
本发明能够提供包括银薄膜电极并且具有高发光效率的有机EL元件。
由以下参照附图对示例性实施方案的说明,本发明进一步的特征将变得清楚。
附图说明
图1A是根据本发明实施方案的有机EL元件的横截面示意图。
图1B是包括该有机EL元件的发光装置的透视示意图。
图2A是表示参考例1的透射率的坐标图。
图2B是表示Mg-Ag金属层的光视透射率(透光率,luminoustransmittance)对于Ag浓度的依赖性的坐标图。
图3A是表示参考例2的透射率的坐标图。
图3B是表示Mg-Ag金属层的光视透射率的厚度依赖性的坐标图。
具体实施方式
第一实施方案
以下参照附图对本发明进行说明。图1A是根据本发明的第一实施方案的有机EL元件的横截面示意图。根据本发明的第一实施方案的有机EL元件在基板10上包括第一电极11、第二电极15和有机化合物层12。该有机化合物层12配置在该第一电极11和该第二电极15之间并且包括发光层。光从与基板10相对的第二电极15取出(顶部发射型)。该第二电极15从基板10以如下顺序包括第一金属层13和第二金属层14。该第二金属层14与该第一金属层13接触。该第二金属层14含有银(Ag)并且具有5.0nm-20nm的厚度。用作该第二金属层14的底层的该第一金属层13含有Mg和Ag并且具有1.0nm-5.0nm的厚度。这能够使该第二金属层14为连续膜,由此防止该第二金属层14的局部表面等离波子吸收和透射率的降低。
尽管未图示,本发明可应用于底部发射型的有机EL元件,其中光从基板取出。更具体地,底部发射型的有机EL元件从基板以如下顺序具有第二电极、有机化合物层和第一电极。该第二电极从基板以如下顺序包括第一金属层和第二金属层。
第二电极15的第二金属层14由优选含有90体积%以上Ag的Ag薄膜构成。Ag薄膜可含有少量(小于10体积%)的Pd、Cu、Mg、和/或Au。第二金属层14优选具有5.0nm-20nm的厚度,更优选8.0nm-12nm,以实现高的电导率和可见光区(波长:400-780nm)的透射率。
第二电极15的第一金属层13含有至少两种金属。该至少两种金属的实例包括,但并不限于,金属,例如Ag和Au,第I族元素,例如Li和Cs,第II族元素,例如Mg和Ca,和第III族元素,例如A1和In。第一金属层13适合地含有Mg和Ag。Mg与Ag的原子比优选为19∶1至1∶19,更优选为19∶1至9∶1。在第一金属层13具有10nm以下的厚度的情况下,第二金属层14(Ag薄膜)的局部表面等离波子吸收随着Ag的体积百分率增加而增加。
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H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





