[发明专利]编程电阻存储单元的方法和装置

权利要求书

1.一种编程电阻存储单元的方法，其特征在于，包括：

采用第一编程脉冲对所述电阻存储单元进行编程操作；

检测采用第一编程脉冲对所述电阻存储单元进行编程操作是否成功；以及

在对所述电阻存储单元编程失败的情况下，采用第二编程脉冲对所述电阻存储单元进行编程操作，所述第二编程脉冲比所述第一编程脉冲的宽度长。

2.根据权利要求1所述的编程电阻存储单元的方法，其特征在于：所述第二编程脉冲的第二脉冲宽度相对所述第一编程脉冲的第一脉冲宽度以指数规律增长。

3.根据权利要求2所述的编程电阻存储单元的方法，其特征在于，在采用第二编程脉冲对电阻存储单元进行编程操作的步骤之后还包括：

检测采用第N-1编程脉冲对所述电阻存储单元进行编程操作是否成功；以及

在对所述电阻存储单元编程失败的情况下，采用第N编程脉冲对所述电阻存储单元进行编程操作，所述第N编程脉冲的第N脉冲宽度相对所述第N-1编程脉冲的第N-1脉冲宽度以指数规律增长。

4.根据权利要求3所述的编程电阻存储单元的方法，其特征在于，所述采用第N编程脉冲对所述电阻存储单元进行编程操作的步骤包括：

检测所述第N脉冲宽度是否大于预设的最大脉冲宽度；

当所述第N脉冲宽度小于预设的最大脉冲宽度，采用第N编程脉冲对所述电阻存储单元进行编程操作；当所述第N脉冲宽度大于预设的最大脉冲宽度，采用增加脉冲幅度的方式对所述电阻存储单元进行编程操作。

5.根据权利要求4所述的编程电阻存储单元的方法，其特征在于，所述预设的最大脉冲宽度与以下因素中的一项或多项有关：

电阻存储单元的材料体系、器件结构或工艺条件。

6.根据权利要求4所述的编程电阻存储单元的方法，其特征在于，所述增加脉冲幅度的方式对所述电阻存储单元进行编程操作的步骤中，所述脉冲幅度增加量介于0.1-1V之间。

7.根据权利要求3所述的编程电阻存储单元的方法，其特征在于，所述编程操作包括置位操作和/或复位操作；

对于置位操作，所述检测采用第一置位脉冲对所述电阻存储单元进行置位操作是否成功的步骤包括：检测所述电阻存储单元的电阻是否低于预设基准低电阻，如果是，表示置位操作成功；否则，表示置位操作失败；

对于复位操作，所述检测采用第一复位脉冲对所述电阻存储单元进行复位操作是否成功的步骤包括：检测所述电阻存储单元的电阻是否高于预设基准高电阻，如果是，表示复位操作成功；否则，表示复位操作失败。

8.根据权利要求7所述的编程电阻存储单元的方法，其特征在于，所述基准低电阻值由电阻存储单元置位后的最大低阻值决定；和/或基准高电阻值由电阻存储单元复位后的最小高阻值决定。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的编程电阻存储单元的方法，其特征在于，所述第一脉冲宽度介于1ns至100ns之间。

10.根据权利要求9所述的编程电阻存储单元的方法，其特征在于，所述第一编程脉冲为：

脉冲宽度介于1ns至100ns之间单脉冲；或

脉冲宽度之和介于1ns至100ns之间的多脉冲。

11.根据权利要求1-8中任一项所述的编程电阻存储单元的方法，其特征在于，该方法应用于单极性或双极性的电阻存储单元中。

12.一种编程电阻存储单元的装置，其特征在于，该装置包括编程单元和检测单元，其中：

编程单元，用于采用第一编程脉冲对所述电阻存储单元进行编程操作；并在对所述电阻存储单元编程失败的情况下，采用第二编程脉冲对所述电阻存储单元进行编程操作，所述第二编程脉冲比所述第一编程脉冲的宽度长；

第一检测单元，与所述编程操作单元相连，用于检测采用第一编程脉冲对所述电阻存储单元进行编程操作是否成功。

13.根据权利要求12所述的编程电阻存储单元的装置，其特征在于，所述编程单元中，所述第二编程脉冲的第二脉冲宽度相对所述第一编程脉冲的第一脉冲宽度以指数规律增长。