[发明专利]包含氧化剂和有机溶剂的微电子清洁组合物

权利要求书

1.清洁组合物，其能够从铜金属化且具有低κ或高κ电介质的微电子基底清洁高度交联或硬化的光致抗蚀剂的残留物、后等离子体蚀刻/灰化残留物、牺牲光吸收材料、防反射涂层、和含有钛或钽的结构，所述清洁组合物基本上由以下组成：

约0.1至约30重量％的过氧化氢；

约1至约99.9重量％的环丁砜作为具有氢键键合能力以及与所述氧化剂发生最小程度的反应或不发生反应的极性有机溶剂；

大于0至约30重量％的氢氧化四烷基铵作为碱；

0.1至5重量％的螯合剂或金属络合剂，其选自反-1，2-环己烷二胺四乙酸和乙二胺四(亚甲基膦酸)；和

约0.1至约98重量％的水，

其中该清洁组合物中各成分含量百分比的总和不超过100％。

2.权利要求1所述的清洁组合物，其中所述极性有机溶剂在组合物中存在的量为约10至约90重量％。

3.权利要求2所述的清洁组合物，其基本上由以下组成：环丁砜、氢氧化四甲基铵、反-1，2-环己烷二胺四乙酸、过氧化氢和水。

4.权利要求2所述的清洁组合物，其基本上由以下组成：环丁砜、氢氧化四甲基铵、乙二胺四(亚甲基膦酸)、过氧化氢和水。

5.权利要求1所述的清洁组合物，所述清洁组合物仅由所述组分组成。

6.权利要求5所述的清洁组合物，其由以下组成：环丁砜、反-1，2-环己烷二胺四乙酸、氢氧化四甲基铵、过氧化氢和水。

7.一种用于从铜金属化且具有低κ或高κ电介质的微电子基底清洁高度交联或硬化的光致抗蚀剂的残留物、后等离子体蚀刻/灰化残留物、牺牲光吸收材料、防反射涂层、和含有钛或钽的结构的方法，所述方法包含将基底与清洁组合物接触足够的时间以从微电子基底清洁光致抗蚀剂和残留物，其中所述清洁组合物包含权利要求1至6任一项的组合物。

8.用于从微电子基底清洁光致抗蚀剂和残留物的清洁组合物，所述清洁组合物基本上由以下组成：

约0.1至约30重量％的氧化剂；

约1至约99.9重量％的极性有机溶剂；

大于0至约30重量％的碱以向组合物提供碱性pH；

以及任选以下组分的一种或多种：

腐蚀抑制共溶剂；

螯合剂或金属络合剂；

氧化剂稳定剂；

腐蚀抑制剂；

金属腐蚀抑制剂；

氟化物化合物；

表面活性剂；和

水，

其中该清洁组合物中各成分含量百分比的总和不超过100％。

9.用于从微电子基底清洁光致抗蚀剂和残留物的清洁组合物，所述清洁组合物基本上由以下组成：

约0.1至约30重量％的氧化剂；

约1至约99.9重量％的极性有机溶剂；

必需量的合适的酸组分以足够给予组合物酸性pH，如HCl或HF；

以及任选以下组分的一种或多种：

腐蚀抑制共溶剂；

螯合剂或金属络合剂；

氧化剂稳定剂；

腐蚀抑制剂；

金属腐蚀抑制剂；

氟化物化合物；

表面活性剂；和

水，

其中该清洁组合物中各成分含量百分比的总和不超过100％。