[发明专利]一种利用ZnO纳米锥阵列提高LED发光效率的方法

权利要求书

1.一种利用ZnO纳米锥提高LED发光效率的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)应用金属有机化学气相沉积的方法在衬底上依次外延生长N型接触层、多量子阱有源区和P型接触层，形成外延片；

(2)在外延片表面的P型接触层上蒸镀一层ITO电流扩展层；

(3)在外延片的同一面制作P电极和N电极，形成未解离的LED，P电极制作在ITO电流扩展层上，N电极制作在N型接触层上，P电极和N电极处于外延片的同一面；

(4)用光刻胶做图形掩膜，覆盖并保护电极和切割道，切割道是指未解离LED管芯之间相连的N型接触层区域；

(5)在ITO电流扩展层上溅射一层致密结晶性好的ZnO种子层；

(6)采用水热法生长ZnO纳米锥阵列，将溅射ZnO种子层后的未解离的LED置入锌源前躯体溶液的水热反应釜中反应1小时--12小时，水温50℃--100℃，然后降至室温，取出后用去离子水冲洗，用氮气吹干，即得到ZnO纳米锥阵列；

(7)用去胶液去除光刻胶，露出电极，用去离子水冲洗，用氮气吹干；

(8)解离成单个管芯，制作成器件。

2.根据权利要求1所述的利用ZnO纳米锥提高LED发光效率的方法，其特征在于，所述步骤(6)中的ZnO纳米锥阵列为表面粗糙的ZnO纳米圆锥阵列，采用水热法生长的条件为锌源前躯体溶液浓度0.02M-0.2M、PH值6-8，水温60-80℃，生长3-6小时。

3.根据权利要求1所述的利用ZnO纳米锥提高LED发光效率的方法，其特征在于，所述所述步骤(6)中的ZnO纳米锥阵列为表面光滑的ZnO纳米六棱锥阵列，采用水热法生长的条件为锌源前躯体溶液浓度0.02M-0.2M、PH值6-8，水温80-100℃，生长4-6小时。

4.根据权利要求1所述的利用ZnO纳米锥提高LED发光效率的方法，其特征在于，所述所述步骤(6)中的ZnO纳米锥阵列为表面一环一环直径递减的ZnO纳米锥，采用水热法生长的条件为锌源前躯体溶液浓度0.02M-0.2M、PH值9-12，水温50-100℃，生长4-8小时。