[发明专利]高压器件的栅极电容模型

权利要求书

1.一种高压器件的栅极电容模型，栅极电容模型包括BSIM模型栅极电容，其特征在于：所述栅极电容模型还包括栅极场板与源极端之间形成的栅源交叠电容、或所述栅极场板与漏极端之间形成的栅漏交叠电容。

2.如权利要求1所述的高压器件的栅极电容模型，其特征在于：所述栅源交叠电容包括所述栅极场板与源极有源区之间的交叠电容一、所述栅极场板与源极场氧区之间的交叠电容二，所述交叠电容一和所述交叠电容二之间并联连接。

3.如权利要求1所述的高压器件的栅极电容模型，其特征在于：所述栅漏交叠电容包括所述栅极场板与漏极有源区之间的交叠电容三、所述栅极场板与漏极场氧区之间的交叠电容四，所述交叠电容三和所述交叠电容四之间并联连接。

4.如权利要求2所述的高压器件的栅极电容模型，其特征在于：所述栅源交叠电容、所述交叠电容一、所述交叠电容二的计算公式如下：

C_{gs_overlap}＝W×(C_{gs_poly_on_active}+C_{gs_poly_on_field})

Cgs_poly_on_active=CSOA×Lpoly_on_source_active×ϵ0ϵSiO2Toxactive(1+vgsa1×vgs+vgsa2×vgs2)]]>

Cgs_poly_on_field=CSOF×Lpoly_on_source_field×ϵ0ϵSiO2Toxfield(1+vgsf1×vgs+vgsf2×vgs2)]]>

其中：

C_{gs_overlap}是所述栅源交叠电容；C_{gs_poly_on_active}是每单位沟道宽度下的所述交叠电容一；C_{gs_poly_on_field}是每单位沟道宽度下的所述交叠电容二；W是高压器件的沟道宽度；L_{poly_on_source_active}是所述栅极场板与所述源极有源区上的长度；L_{poly_on_source_field}是所述栅极场板与所述源极场氧区上的长度；CSOA和CSOF是两个模型修正因子；vgsa1、vgsa2、vgsf1和vgsf2是电压系数；Tox_active是栅氧厚度；Tox_field是场氧厚度；ε₀是真空介电常数；ε_SiO2是二氧化硅介电常数；vgs为栅源电压。

5.如权利要求3所述的高压器件的栅极电容模型，其特征在于：所述栅漏交叠电容、所述交叠电容三、所述交叠电容四的计算公式如下：

C_{gd_overlap}＝W×(C_{gd_poly_on_active}+C_{gd_poly_on_field})

Cgd_poly_on_active=CDOA×Lpoly_on_drain_active×ϵ0ϵSiO2Toxactive(1+vgda1×vgd+vgda2×vgd2)]]>

Cgd_poly_on_field=CDOF×Lpoly_on_drain_field×ϵ0ϵSiO2Toxfield(1+vgdf1×vgd+vgdf2×vgd2)]]>

其中：

C_{gd_overlap}是所述栅漏交叠电容；C_{gd_poly_on_active}是每单位沟道宽度下的所述交叠电容三；C_{gd_poly_on_field}是每单位沟道宽度下的所述交叠电容四；W是高压器件的沟道宽度；L_{poly_on_drain_active}是所述栅极场板与所述漏极有源区上的长度；L_{poly_on_drain_field}是所述栅极场板与所述漏场氧区上的长度；CDOA和CDOF是两个模型修正因子；vgda1、vgda2、vgdf1和vgdf2是电压系数；Tox_active是栅氧厚度；Tox_field是场氧厚度；ε₀是真空介电常数；ε_SiO2是二氧化硅介电常数；vgd为栅漏电压。