[发明专利]无线终端设备及其热保护方法

说明书

技术领域

本发明涉及无线通信设备技术领域，具体涉及一种无线终端设备及其热保护方法。

背景技术

随着无线通信不同制式的发展，即WCDMA(Wideband Code Division Multiple Access，宽带码分多址)→HSDPA(High Speed Downlink Packet Access，高速下行分组接入)→HSUPA(High Speed Uplink Packet Access，高速上行分组接入)→HSPA+(High Speed Packet Access，高速分组接入)→LTE(Long Term Evolution，长期演进)，数据业务终端产品流速呈现飞速增加的趋势：384Kbps→14.4Mbps→42Mbps→278Mbps。流速的高速发展给基带带来很大的处理负荷，以高通平台为例，LTE制式的MDM9K、以及HSPA+制式的8K终端芯片与传统HSPA制式的MSM6K、MSM7K芯片相比，在同等业务比如下行链路速率DL≤7.2Mbps下，功耗会增加40-100％；在用户正常应用下，比如输出功率Pout＝0dBm，下行链路速率DL＝DLmax，功耗会增加60％-200％。由此可见，热设计已成为终端发展和小型化的关键技术之一，尤其在LTE新平台新业务推出的不稳定不成熟的初期，最大发射功率下平台功耗会远超USB(Universal Serial BUS，通用串行总线)协议规定的标准500mA@5V，即5V工作电压下的最大输出电流为500mA。

目前，随着芯片的小型化需求，芯片加工工艺正从65nm向45nm、25nm迈进。对于65nm规格的芯片，其功耗特性是随着温度的升高而降低的，而对于45nm及25nm规格的芯片，由于制作工艺的局限，其特性是功耗随温度的升高而增加。

如图1所示，是45nm芯片MDM9200功耗随温度的变化曲线，其中，横轴表示芯片输出功率，纵轴表示芯片中的电流。测试条件为LTE SISO(单入单出模式)，工作带宽BW＝10MHz，下行链路速率DL＝0Mbps，Tc为芯片表面温度。

由图1所示曲线可以看出，部分45nm芯片的功耗随温度会大幅增加，即功耗-热的正反馈。这种情况会直接导致无线终端设备掉网重启等恶性问题，而且，这种趋势未来会更加明显。

另外，在现有网络下，无线终端设备的上、下行业务具有不同的功耗特性，即在同样信号强度下，下行业务时发射功率较小，但转为上行业务后，发射功率会接近满功率发射。这种业务特性，也会使得高功耗无线终端设备产生过热掉网的问题。

发明内容

本发明实施例针对上述现有技术存在的问题，提供一种无线终端设备及其热保护方法，有效消除无线终端设备中芯片的功耗-热正反馈，降低弱信号下功耗过大的过热风险。

为此，本发明实施例提供如下技术方案：

一种无线终端设备热保护方法，所述方法包括：

对无线终端设备进行温度监测；

在监测到的温度上升并达到第一切换门限后，将所述无线终端设备从第一制式切换为第二制式。

一种无线终端设备，包括：

温度监测单元，用于对无线终端设备进行温度监测；

切换控制单元，用于在所述温度监测单元监测到的温度上升并达到第一切换门限后，将所述无线终端设备从第一制式切换为第二制式。

本发明实施例提供的无线终端设备及其热保护方法，以温度为测量参数和主触发条件，在无线终端设备温度上升并达到一定切换门限后，将所述无线终端设备从高功耗高流速制式切换为低功耗低流速制式，从而在保证无线终端设备不掉网或最小程度掉网的情况下，有效地消除无线终端设备内芯片功耗-热的正反馈特性引起无线终端设备过热的风险，并降低弱信号下功耗过大的过热风险，避免引起无线终端设备过热掉网。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术中部分45nm芯片功耗随温度的变化曲线；

图2是本发明实施例无线终端设备热保护方法的一种流程图；

图3是本发明实施例无线终端设备热保护方法的另一种流程图；

图4是本发明实施例无线终端设备热保护方法的另一种流程图；

图5是本发明实施例无线终端设备热保护方法的另一种流程图；

图6是本发明实施例无线终端设备热保护系统的一种结构示意图；