[发明专利]分栅闪存单元及其制造方法

权利要求书

1.一种分栅闪存单元制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括至少两个第一区域和位于两个第一区域之间的第二区域，所述第一区域衬底表面依次形成有隧穿层、氮化硅层、阻挡层、控制栅；

在第二区域衬底形成沟槽；

在所述沟槽表面形成隔离介质层，并形成填充满所述沟槽且厚度大于所述沟槽深度的字线；

在控制栅与字线相对的两侧形成源、漏区。

2.依据权利要求1的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，形成字线的步骤包括：

依次形成覆盖衬底表面的隧穿层、氮化硅层、阻挡层、多晶硅层；

在所述多晶硅层表面形成含有开口的刻蚀停止层，所述开口的位置及宽度与第二区域的位置及宽度相对应；

以所述刻蚀停止层为掩膜，沿所述开口依次刻蚀所述多晶硅层、阻挡层、氮化硅层、隧穿层，直至暴露所述衬底；

以刻蚀停止层为掩膜，刻蚀所述衬底，形成沟槽；

在所述沟槽表面形成隔离介质层；

形成填充满所述沟槽且厚度大于所述沟槽的深度的字线。

3.依据权利要求2的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，所述开口还包括第三侧墙。

4.依据权利要求2的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，沟槽深度的范围是100-1000埃。

5.依据权利要求2的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，字线的宽度的小于0.18毫米。

6.依据权利要求1的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，所述隧穿层的材料是二氧化硅。

7.依据权利要求6的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，所述隧穿层的厚度的范围是10-50埃。

8.依据权利要求1的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度的范围是50-100埃。

9.依据权利要求1的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，阻挡层的材料是二氧化硅。

10.依据权利要求10的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度的范围是40-100埃。

11.依据权利要求1的分栅闪存单元制造方法，其特征在于，所述衬底为p型衬底，所述衬底还包括依次位于衬底表面的n型埋层和p阱，所述字线嵌入所述p型阱。

12.一种分栅闪存单元，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括至少两个第一区域和位于两个第一区域之间的第二区域；

部分位于第二区域衬底内的字线，所述字线与衬底以隔离介质层隔开；

依次位于第一区域衬底表面的隧穿层、氮化硅层、阻挡层、控制栅；

隧穿层、氮化硅层、阻挡层、控制栅与字线以隔离介质层隔离；

位于控制栅与字线相对两侧的源、漏区。

13.依据权利要求12的分栅闪存单元，其特征在于，隧穿层、氮化硅层、阻挡层、控制栅与字线之间还包括第三侧墙。

14.依据权利要求12的分栅闪存单元，其特征在于，所述隧穿层的厚度的范围是10-50埃。

15.依据权利要求12的分栅闪存单元，其特征在于，所述阻挡层的厚度的范围是40-100埃。

16.依据权利要求12的分栅闪存单元，其特征在于，所述氮化硅层的厚度的范围是50-100埃。

17.依据权利要求12的分栅闪存单元，其特征在于，所述衬底为p型衬底，所述衬底还包括依次位于衬底表面的n型埋层和p阱，所述字线嵌入所述p型阱。