[发明专利]宽谱远红外陶瓷材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201110001721.0 | 申请日： | 2011-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN102167571A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 梁聪;闵富华;洪汉钟 | 申请（专利权）人： | 肇庆市鼎湖医疗器械厂有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/16 | 分类号： | C04B35/16;C04B35/10;C04B33/13;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 华辉;周端仪 |
| 地址： | 526070 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 宽谱远 红外 陶瓷材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种宽谱远红外陶瓷材料，其特征在于：按重量分数比计算，其配方包括以下组分：
B料65-85份，SiC 15-35份；
其中B料由A料40-58份，氧化铝12-23份，高岭土13-22份组成；
上述A料由石英14-20份，长石30-40份，萤石2-8份，方解石8-16份，硼酸25-35份组成。
2.权利要求1所述宽谱远红外陶瓷材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)制备A料：按配方配料混合球磨，过筛，熔化，水淬破碎，烘干后球磨，过筛备用；
(2)制备B料：按配方配料混合球磨，过筛，备用；
(3)准备SiC：将SiC熔块破碎，球磨，过筛，备用；
(4)制备坯料：按质量百分比计算B料65-85份，SiC 15-35份配料，混料，过筛，制得陶瓷坯料。
3.根据权利要求2所述的宽谱远红外陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)-(3)中的过筛为万孔筛筛余和/或过120目筛。
4.根据权利要求2所述的宽谱远红外陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，熔化温度为1100-1300℃。
5.根据权利要求2所述的宽谱远红外陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中，以振磨机混料4-6小时后，过80-120目筛。
6.根据权利要求2所述的宽谱远红外陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中，配料时添加粘合剂2-4份。
7.权利要求1所述的宽谱远红外陶瓷材料应用于制备直热式宽谱远红外陶瓷元件。
8.根据权利要求7所述宽谱远红外陶瓷材料应用于制备直热式宽谱远红外陶瓷元件的方法，其特征在于包括：坯料成型；坯体烧成：烧成温度为1250-1340℃，以完全成瓷，其吸水率小于0.02％为准；坯体烧成后涂覆电极。
9.根据权利要求8所述的宽谱远红外陶瓷材料应用于制备直热式宽谱远红外陶瓷元件的方法，其特征在于：所述坯料以90-120Kg/cm2压力成型。
10.权利要求1所述的宽谱远红外陶瓷材料应用于制备涂覆于纺织物或金属材料上的远红外层。
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