[发明专利]N型掺杂薄膜的有机发光二极管

权利要求书

1.N型掺杂薄膜的有机发光二极管，其特征在于：是一种具有N型掺杂的有机传输材料和N型掺杂的有机电子受体材料组成的双层N型掺杂薄膜结构的有机发光二极管，由一层透明阳极、一层沉积在阳极上的有机空穴注入层、一层沉积在有机空穴注入层上的有机空穴传输层、一层沉积在有机空穴传输层上的有机发光层、一层沉积在有机发光层上的N型掺杂的有机电子注入层、一层沉积在N型掺杂的有机电子注入层上的N型掺杂的有机电子传输层和一层沉积在有机电子传输层上的阴极组成。

2.根据权利要求1所述N型掺杂薄膜的有机发光二极管，其特征在于：所述透明阳极的材料是氧化铟锡导电薄膜、半透明的金或半透明的银。

3.根据权利要求2所述N型掺杂薄膜的有机发光二极管，其特征在于：所述氧化铟锡导电薄膜的厚度为100nm，面电阻小于10欧姆/每4×4cm²方块。

4.根据权利要求1所述N型掺杂薄膜的有机发光二极管，其特征在于：所述沉积在阳极上的有机空穴注入层的材料是酞菁铜或N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺。

5.根据权利要求1所述N型掺杂薄膜的有机发光二极管，其特征在于：所述沉积在有机空穴注入层上的有机空穴传输层的材料是N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-联苯二胺或N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-联苯二胺。

6.根据权利要求1所述N型掺杂薄膜的有机发光二极管，其特征在于：所述沉积在有机空穴传输层上的有机发光层的材料是三(8-羟基喹啉)铝(III)。

7.根据权利要求1所述N型掺杂薄膜的有机发光二极管，其特征在于：所述沉积在有机发光层上的N型掺杂的有机电子注入层的材料是在2，9-二甲基-4，7二苯基-1，10-菲啰啉中掺杂碳酸锂，2，9-二甲基-4，7二苯基-1，10-菲啰啉中掺杂碳酸锂的重量比例范围为1∶0.01～1∶0.5。

8.根据权利要求1所述N型掺杂薄膜的有机发光二极管，其特征在于：所述沉积在N型掺杂的有机电子注入层上的N型掺杂的有机电子传输层的材料是在苝四甲酸二酐中掺杂碳酸锂，苝四甲酸二酐中掺杂碳酸锂的重量比例范围为1∶0.01～1∶1；或所述沉积在N型掺杂的有机电子注入层上的N型掺杂的有机电子传输层的材料是在萘四甲酸二酐中掺杂隐性结晶紫，萘四甲酸二酐中掺杂隐性结晶紫重量比例范围为1∶0.01～1∶1。

9.根据权利要求1所述N型掺杂薄膜的有机发光二极管，其特征在于：所述沉积在有机电子传输层上的阴极的材料是银或铝。