[发明专利]一种低电容肖特基二极管的制造方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管，衬底层为N传导类型硅半导体材料，衬底层之上为掺杂的N传导类型硅外延层，外延层之上为肖特基势垒层，肖特基势垒层边缘有P型材料保护环，其制造方法特征在于：

包括如下步骤：

1)在衬底层上通过外延生产形成外延层；

2)在氮气气氛中进行扩散工艺；

3)进行初始氧化，在硅材料表面形成钝化层；

4)一次光刻腐蚀后，注入P型杂质退火；

5)二次光刻腐蚀，淀积势垒金属，低温烧结；

6)进行正面金属化工艺，上表面形成金属层；

7)三次光刻腐蚀，反刻正面金属层；

8)背面金属化工艺，下表面形成金属层。

2.如权利要求1所述的肖特基二极管的制造方法，其特征在于：所述的外延层，通过外延生产方式在外延层中形成均匀掺杂。

3.如权利要求1所述的肖特基二极管的制造方法，其特征在于：所述的氮气气氛中进行扩散工艺的温度为600度到1000度。