[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

覆盖在所述硅衬底表面的碳化硅膜；以及

覆盖在所述碳化硅膜表面的半导体膜。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述碳化硅膜的厚度为10-1000nm。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体膜的厚度为10-100nm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体衬底和半导体膜的材料包括晶体Si。

5.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供第一半导体衬底；

在所述第一半导体衬底上形成碳化硅膜；

在所述碳化硅膜上形成半导体膜。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一半导体衬底上形成碳化硅膜的步骤，包括：

采用智能剥离技术在所述半导体衬底上形成碳化硅膜；或者

提供碳化硅衬底，将所述碳化硅衬底键和到所述半导体衬底上，并打薄所述碳化硅衬底，使其在所述第一半导体衬底的表面形成碳化硅膜。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述采用智能剥离技术在所述半导体衬底上形成碳化硅膜的步骤包括：

提供碳化硅衬底；

向碳化硅衬底注入氢离子；

在所述第一半导体衬底上键和所述碳化硅衬底；

进行退火，以使得所述碳化硅膜从所述氢离子所在位置剥离。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述碳化硅膜表面形成半导体膜的步骤，包括：

采用智能剥离技术在所述碳化硅膜表面形成半导体膜；或者

提供第二半导体衬底，并将所述第二半导体衬底键和到所述碳化硅膜表面，并打薄所述第二半导体衬底，使其在所述碳化硅膜表面形成半导体膜。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述采用智能剥离技术在所述碳化硅膜表面形成半导体膜的步骤，包括：

提供第二半导体衬底；

向所述第二半导体衬底注入氢离子；

在所述碳化硅膜上键和所述碳化硅衬底；

进行退火，以使得所述半导体膜从所述氢离子所在位置剥离。

10.如权利要求6或8所述的制备方法，其特征在于，所述打薄所述碳化硅衬底和打薄所述第二半导体衬底的步骤包括：磨削或刻蚀。

11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀包括：先氧化再使用氢氟酸刻蚀。

12.权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述碳化硅膜的厚度为10-1000nm。

13.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述半导体膜的厚度为10-100nm。