[其他]一种半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

半导体衬底；

SiGe弛豫层，形成在所述半导体衬底上；

半导体外延层，形成在所述SiGe弛豫层上，位于所述SiGe弛豫层上，或者嵌入在所述SiGe弛豫层中；

高K介电层，沉积在所述半导体外延层的整个表面上，形成为有底面的空心柱形；和

金属栅，填充在由所述高K介电层形成的空心柱形的内部；

所述半导体外延层是Si外延层、Ge外延层、或者SiGe外延层

其中，所述半导体外延层的厚度在5～10nm的范围内。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

侧墙，沉积在所述SiGe弛豫层上，围绕所述半导体外延层和所述高K介电层的外周，或者围绕所述高K介电层的外周；和

层间介电层，沉积在所述SiGe弛豫层上，围绕所述侧墙的外周。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

所述SiGe弛豫层中Ge原子百分比从邻近所述半导体衬底的20％逐渐变化为远离所述半导体衬底的100％。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

所述SiGe弛豫层形成有刻蚀停止层。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

所述刻蚀停止层具有与所述SiGe弛豫层不同的Ge原子百分比。