[发明专利]垂直堆叠的光伏和热太阳能电池无效
| 申请号: | 201080071272.0 | 申请日: | 2010-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN104185903A | 公开(公告)日: | 2014-12-03 |
| 发明(设计)人: | S·柯伦;S·迪亚斯;廖康庠;S·D·亚穆班;A·哈达尔;N·艾雷 | 申请(专利权)人: | 休斯敦大学 |
| 主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 毛力 |
| 地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 垂直 堆叠 太阳能电池 | ||
1.一种适于接收入射光的光伏设备,包括:
多个光伏电池,
其中每个电池包括:
第一导电层;以及
毗邻第一导电层的光敏层;
毗邻光敏层的第二导电层;以及
其中多个光伏电池基本垂直地堆叠,其中垂直是入射光的方向。
2.如权利要求1所述的光伏设备,其特征在于,所述第一和第二导电层中的一个或多个包括从透明和半透明材料中选择的材料。
3.如权利要求1所述的光伏设备,其特征在于,所述光敏层包括薄膜。
4.如权利要求1所述的光伏设备,其特征在于,所述光敏层包括有机材料。
5.如权利要求1所述的光伏设备,其特征在于,所述光敏层包括无机材料。
6.如权利要求1所述的光伏设备,其特征在于,还包括毗邻第一和第二导电层中的一个层的衬底层。
7.如权利要求3所述的光伏设备,其特征在于,所述衬底层包括穿过其中的通道。
8.如权利要求1所述的光伏设备,其特征在于,每个光伏电池包括第一和第二末端,第一末端离入射光更近,而且其中所述光伏设备包括毗邻第二末端延伸的反射性表面。
9.如权利要求1所述的光伏设备,其特征在于,每个光伏电池包括第一和第二末端,第一末端离入射光更近,而且其中所述光伏设备包括设置在入射光与第一末端之间的透镜系统。
10.如权利要求1所述的光伏设备,其特征在于,多个光伏电池从由入射光限定的垂直轴倾斜。
11.一种适于接收入射光的光伏设备,包括:
多个光伏电池,每个光伏电池包括第一末端和第二末端,第一末端离入射光更近,
其中每个电池包括:
第一导电层;
毗邻第一导电层的光敏层;
毗邻光敏层的第二导电层;以及
毗邻第一和第二导电层中的一个导电层的衬底,其中所述衬底包括
穿过其中的通道;以及
其中所述多个光伏电池基本垂直地堆叠,其中垂直是入射光的方向,而且其中所述多个光伏电池从由入射光限定的垂直轴倾斜;
毗邻第二末端的反射性表面;以及
设置在入射光与第一末端之间的透镜系统。
12.一种用于制造适于接收入射光的光伏设备的方法,包括:
形成基本平坦平板配置的第一光伏电池;
形成基本平坦平板配置的第二光伏电池;
堆叠第一和第二光伏电池;以及
将所述光伏电池中的每一个重新定向为基本垂直,其中垂直是入射光的方向。
13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,形成第一光伏电池包括:
提供第一导电层;
毗邻第一导电层层叠第一光敏层;以及
毗邻第二光敏层层叠第二导电层。
14.如权利要求13所述的方法,其特征在于,形成第一光伏电池还包括:提供毗邻第一和第二导电层中的一个层的第一衬底。
15.如权利要求14所述的方法,其特征在于,形成第一光伏电池还包括:形成穿过第一衬底的通道。
16.如权利要求13所述的方法,其特征在于,形成第二光伏电池包括:
提供第三导电层;
毗邻第三导电层层叠第二光敏层;以及
毗邻第二光敏层层叠第四导电层。
17.如权利要求13所述的方法,其特征在于,形成第二光伏电池还包括:提供毗邻第三和第四导电层中的一个层的第二衬底。
18.如权利要求14所述的方法,其特征在于,形成第一光伏电池还包括:形成穿过第二衬底的通道。
19.如权利要求12所述的方法,其特征在于,将所述光伏电池中的每一个重新定向为基本垂直包括:使所述光伏电池从由入射光限定的垂直轴倾斜。
20.如权利要求12所述的方法,其特征在于,每个光伏电池包括第一和第二末端,第一末端离入射光更近,而且其中所述方法包括提供毗邻第一末端延伸的反射性表面。
21.如权利要求12所述的方法,其特征在于,每个光伏电池包括第一和第二末端,第一末端离入射光更近,而且其中所述方法包括提供设置在入射光与第二末端之间的透镜系统。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于休斯敦大学;,未经休斯敦大学;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080071272.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电子电路板的连接构造
- 下一篇:半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





