[发明专利]尤其用于针对超声应用的传输通道的低压隔离开关有效

专利信息
申请号: 201080070437.2 申请日: 2010-12-23
公开(公告)号: CN103229418A 公开(公告)日: 2013-07-31
发明(设计)人: V·博塔雷尔;G·里科蒂;F·奎格利亚 申请(专利权)人: 意法半导体股份有限公司
主分类号: H03K17/081 分类号: H03K17/081;H03K17/30;G01S7/52;B06B1/02
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 意大利阿格*** 国省代码: 意大利;IT
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摘要:
搜索关键词: 尤其 用于 针对 超声 应用 传输 通道 低压 隔离 开关
【权利要求书】:

1.一种被插入在至开关矩阵(2)的适合于接收高压信号(IM)的连接节点(HVout)和至负载(PZ)的适合于传输所述高压信号(IM)至所述负载(PZ)的连接端子(pzt)之间的低压隔离开关(1),所述低压隔离开关(1)是如下类型,即,包括被插入在第一基准电压和第二基准电压(Vss,-Vss)之间并且至少包括与第一驱动二极管(D1)串联地被插入在所述第一基准电压(Vss)和第一驱动中心电路节点(Xc)之间的第一驱动晶体管(M1)以及转而与第二驱动二极管(D2)串联地被插入在所述驱动中心电路节点(Xc)和所述第二基准电源电压(-Vss)之间的第二驱动晶体管(M2)的至少一个驱动模块(5),所述低压隔离开关(1)的特征在于其包括被连接至所述连接端子(pzt)、至所述连接节点(HVout)以及至所述驱动中心电路节点(Xc)的隔离模块(8),所述隔离模块(8)包括至少一个电压限制器模块(6)、二极管模块(7)以及控制晶体管(MD),所述隔离模块(8)继而跨所述二极管模块(7)被连接在至所述开关矩阵(2)的所述连接节点(HVout)和至所述低压隔离开关(1)的所述负载(PZ)的所述连接端子(pzt)之间并且具有被连接至所述驱动中心电路节点(Xc)的控制端子(XD)。

2.根据权利要求1所述的低压隔离开关(1),其中所述电压限制器模块(6)包括被连接在第一内部电路节点和第二内部电路节点(X1,X2)之间的至少一个第一电压限制器电路和至少一个第二电压限制器电路(DC1,DC2),所述第一内部电路节点(X1)通过电阻器(Rc)被连接至所述驱动中心电路节点(Xc),并且所述第二内部电路节点(X2)被连接至所述连接节点(HVout)。

3.根据权利要求2所述的低压隔离开关(1),其中所述二极管模块(7)包括至少一个第一传输二极管和至少一个第二传输二极管(DN1,DN2),这两者在所述连接端子(pzt)和所述第二内部电路节点(X2)之间被反并联连接,即,通过使所述第一二极管的阳极端子连接至所述第二二极管的阴极端子来连接,反之亦然。

4.根据权利要求2所述的低压隔离开关(1),其中所述控制晶体管(MD)的所述控制端子(XD)被连接至所述第一内部电路节点(X1)。

5.根据权利要求1所述的低压隔离开关(1),其中所述控制晶体管(MD)是低压N沟道MOS晶体管。

6.一种在输入端子(IN)上的高压信号(IM)到至负载(PZ)的连接端子(pzt)的传输通道(10),所述传输通道(10)是如下类型,即,包括被插入在所述输入端子(IN)和第一高压输出端子(HVout)之间的至少一个高压开关矩阵(2),以及被连接至低噪声放大器(4)的第二低压输出端子(LVout)以及被连接在所述第一输出端子(HVout)和所述第二输出端子(LVout)之间的传输开关(3),所述传输通道(10)的特征在于其包括根据前述权利要求中的任一项所实现的并且被连接至所述第一输出端子(HVout)和至所述连接端子(pzt)的至少一个低压隔离开关(1)。

7.根据权利要求6所述的传输通道(10),其特征在于所述传输通道(10)传输作为高压信号的超声脉冲(IM)并且在于所述负载是压电换能器。

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