[发明专利]用于电子设备的可动态配置的嵌入式闪存无效

专利信息
申请号: 201080070290.7 申请日: 2010-11-24
公开(公告)号: CN103221927A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: W·波拉诺斯基 申请(专利权)人: 索尼爱立信移动通讯有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G11C11/56;G11C16/34
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 吕俊刚;刘久亮
地址: 瑞典*** 国省代码: 瑞典;SE
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摘要:
搜索关键词: 用于 电子设备 动态 配置 嵌入式 闪存
【权利要求书】:

1.一种电子设备,该电子设备包括:

控制电路,其具有用于执行逻辑指令的处理器;以及

嵌入式闪存,其具有存储单元,所述存储单元被划分为动态增强分区和第二分区,在所述动态增强分区中数据是采用单级单元编程来存储的,在所述第二分区中数据是采用多级单元编程来存储的,其中,存储在所述动态增强分区中的数据内容是利用所述存储器的使用而确定的。

2.根据权利要求1所述的电子设备,其中,存储在所述动态增强分区中的数据是通过控制功能而确定的,所述控制功能被配置为:

监视对所述嵌入式闪存的地址进行写入的次数;

判定对每个所监视的地址的写入动作是否超过了该地址的阈值,如果是,那么将写入动作超过该地址的阈值的每个地址视为活跃地址;以及

将与每个活跃地址相关联的数据存储到所述动态增强分区中。

3.根据权利要求2所述的电子设备,其中,针对所述动态增强分区中的地址的阈值小于针对不在所述动态增强分区中的地址的阈值。

4.根据权利要求2-3中任一项所述的电子设备,其中,所述控制功能还被配置为将存储在所述第二分区中并且与活跃地址相关联的数据移动到所述动态增强分区。

5.根据权利要求2-4中任一项所述的电子设备,其中,所述控制功能还被配置为将存储在所述动态增强分区中并且与活跃地址不相关联的数据移动到所述第二分区。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的电子设备,其中,存储在所述动态增强分区中的数据被定期地调整。

7.根据权利要求6所述的电子设备,其中,将写入活动测量为针对时间段内多个时间单元中的每个时间单元的写入操作平均次数。

8.根据权利要求17中任一项所述的电子设备,其中,所述嵌入式闪存是多级单元NAND存储器。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的电子设备,其中,所述嵌入式闪存是嵌入式多媒体卡。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的电子设备,其中,所述动态增强分区中的数据存储由作为所述嵌入式闪存的主设备的所述电子设备来控制。

11.根据权利要求1-9中任一项所述的电子设备,其中,所述动态增强分区中的数据存储由集成为所述嵌入式闪存的一部分的逻辑部分来控制。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的电子设备,其中,所述第二分区是所述嵌入式闪存的系统存储器中的一个分区或者是所述电子闪存的大容量存储器。

13.根据权利要求1-12中任一项所述的电子设备,其中,所述动态增强分区的大小由对所述存储器的使用来确定。

14.根据权利要求13所述的电子设备,其中,所述动态增强分区的大小由控制功能来确定,所述控制功能被配置为:

监视对所述嵌入式闪存的地址进行写入的次数;

判定对每个所监视的地址的写入动作是否超过了该地址的阈值,如果是,那么将写入动作超过该地址的阈值的每个地址视为活跃地址;以及

减小所述动态增强分区的大小以容纳每个活跃地址所存储的数据加上备用容量。

15.一种用于电子设备的嵌入式闪存,所述嵌入式闪存包括存储单元,所述存储单元被划分为动态增强分区和第二分区,在所述动态增强分区中数据是采用单级单元编程来存储的,在所述第二分区中数据是采用多级单元编程来存储的,其中,存储在所述动态增强分区中的数据内容是利用所述存储器的使用而确定的。

16.根据权利要求15所述的嵌入式闪存,其中,存储在所述动态增强分区中的数据是通过控制功能而确定的,所述控制功能被配置为:

监视对所述嵌入式闪存的地址进行写入的次数;

判定对每个所监视的地址的写入动作是否超过了该地址的阈值,如果是,那么将写入动作超过该地址的阈值的每个地址视为活跃地址;以及

将与每个活跃地址相关联的数据存储到所述动态增强分区中。

17.根据权利要求16所述的嵌入式闪存,其中,针对所述动态增强分区中的地址的阈值小于针对不在所述动态增强分区中的地址的阈值。

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