[发明专利]具有磁极尖端屏蔽的磁记录头在审
| 申请号: | 201080070099.2 | 申请日: | 2010-09-15 |
| 公开(公告)号: | CN103370744A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
| 发明(设计)人: | 高凯中;E·梅洛切;薛建华;E·S·林维勒;D·韩;H·殷 | 申请(专利权)人: | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号: | G11B5/127 | 分类号: | G11B5/127 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 钱慰民 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 磁极 尖端 屏蔽 记录 | ||
相关申请的交叉引用
本申请是2009年3月16日提交的题为“MAGNETIC RECORDING HEADWITH MAGNETIC WALL ANGLE(具有磁壁角的磁记录头)”的2009年3月16日提交的美国专利申请S/N12/404,579的部分延续并要求其优先权,该文献被整体纳入于此作为参考。
背景
数据存储设备在磁存储介质上存储经数字编码的信息或数据。使用磁记录头将数据存储在存储介质上。示例性的磁记录头包括具有磁极尖端的主磁极以及一个或多个辅助磁极。线圈被供能以在主磁极和该一个或多个辅助磁极中产生磁通路径,以便在存储介质的磁存储层上磁性地记录数据。可按纵向或垂直模式将数据存储在磁存储层上。示例性的数据存储介质包括具有多个同心数据磁道的旋转盘。磁头相对于该多个同心数据磁道中的一个或多个同心数据磁道定位以在磁存储介质上对数据进行编码。通常,磁头被定向成相对于该一个或多个同心数据磁道具有倾斜角。倾斜被定义为磁头与磁道的中心线之间的角度。大倾斜角可能干扰记录并造成毗邻磁道擦除(ATI)。
即使没有ATI,形状因数尺寸的减小和面密度的增加也会对产生充分的写场振幅或写场梯度的能力产生干扰。充分写场振幅或写场梯度的缺乏影响到记录介质的可写性和可靠性。
发明内容
本申请公开一种磁极尖端屏蔽,它包括侧屏蔽部以例如提高可写性和限制相邻磁道干扰(ATI)。在一个实施例中,侧屏蔽部是由形成分级的侧屏蔽部构成的分级磁矩的材料。分级的侧屏蔽部提供一磁矩,该磁矩沿侧屏蔽部的长度沿下磁道(down-track)方向减小。在图示实施例中,磁极尖端屏蔽包括从磁极尖端向前并与之形成间隔的前缘部以及沿下磁道方向从前缘部延伸的分级的侧屏蔽部。
在所披露的其它实施例中,磁极尖端屏蔽包括前缘部和侧屏蔽部,该侧屏蔽部具有沿磁极尖端的侧边缘的部分长度延伸的缩短长度。前缘部和侧屏蔽部由带轮廓本体形成,该带轮廓本体具有凹进部,该凹进部形成在磁极尖端的前缘前面的前缘部以及沿磁极尖端的侧边缘的缩短的侧屏蔽部。缩短长度的侧屏蔽部形成终止边缘表面,该终止边缘表面在磁极尖端的后缘之前隔开。磁极尖端屏蔽的凹进部是圆形化的凹进表面轮廓以形成在磁极尖端的前缘前面的间隙区的圆形化外形。
所披露的磁极尖端屏蔽的一个或多个实施例例如改善或优化了写轮廓泡沫以减少ATI。示例性实施例提供一种磁极尖端屏蔽,它限制磁通泄漏和有效写场和场梯度的损失以改善记录头的可写性。所要求屏蔽的主题内容不限于提供优点或解决本申请背景部分中讨论的任何问题或全部问题的实现。
附图简述
图1是记录头的一个实施例的平面图,其示出了磁头面向存储介质或盘表面的承载表面。
图2是根据一个实施例沿图1的线2-2得到的记录头的横截面图。
图3A-3C示意性地示出根据一实施例用于编码数据的记录头的写元件的实施例。
图4是根据一实施例磁头相对于磁存储介质上的数据磁道的取向的示意图。
图5示意地示出具有壁角以补偿磁头相对于磁存储介质上的数据磁道的倾斜的磁极尖端的实施例。
图6A-6C示意地示出用于写元件的磁极尖端的磁极尖端屏蔽的实施例。
图7示意地示出根据一实施例具有磁壁角以减少ATI的磁场分布。
图8A-8B示意地示出根据一实施例用于写元件的磁极尖端的具有阶梯式厚度分段的磁极尖端屏蔽的实施例。
图8C是根据一实施例沿图8B的线8C-8C取的横截面图,其示出磁极尖端的外形。
图8D-8G示意地示出根据一实施例具有可变几何形状以使磁极尖端的磁壁角成形的磁极尖端屏蔽的实施例。
图9A-9B示意地示出根据一实施例用于写元件的磁极尖端的具有阶梯式厚度分段的磁极尖端屏蔽和带轮廓的磁极尖端的实施例。
图10A-10B示意地示出根据一实施例包括磁极尖端屏蔽的写元件的实施例。
图11A-11E示意地示出根据一实施例包括磁性地连接至辅助磁极的磁极尖端屏蔽的写元件的实施例。
图12A-12B示意地示出根据一实施例包括磁性地连接至第一辅助磁极的磁极尖端屏蔽和与该磁极尖端屏蔽分隔开磁性地连接至第二辅助磁极的前缘屏蔽的写元件的实施例。
图13是示意地示出根据一实施例与写元件的磁极尖端的各侧隔开并沿这些侧延伸的分级的侧屏蔽部的实施例的平面图。
图13B是示意地示出根据一实施例在图13A中示出的分级的侧屏蔽部的实施例的立体图。
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