[发明专利]粘结膜及半导体晶片加工用带

说明书

技术领域

本发明涉及将半导体晶片切断为半导体芯片，制造半导体装置而使用的粘结膜及半导体晶片加工用带。

背景技术

作为在半导体装置的制造工序使用的半导体晶片加工用带，提出了具有在粘结膜(切割带，dicing tape)上层压胶粘剂层(模片接合膜，die bonding film)的结构的半导体晶片加工用带(例如，参照专利文献1)，也已经被实用化。

在半导体装置的制造工序，在半导体晶片贴附半导体晶片加工用带后，实施使用切割刀片将半导体晶片切断(切割)为芯片单元的工序、展开半导体晶片加工用带的工序，进而还包括由胶粘剂层以及粘结剂层拾取(pick-up)被切断的芯片的工序、通过附着于芯片的胶粘剂层将芯片安装于基板等的工序。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平02-32181号公报

发明内容

发明所要解决的问题

然而，在记载于前述专利文献1的半导体晶片加工用带中，会有在输送中或保管中胶粘剂层吸收空气中的水分而变软，降低切削性的情形。

在这样的情况下，切割时，发生胡须状的切削屑，这些切削屑与基材膜或粘结剂层的切削屑一起被切割而在相邻的芯片间熔融粘结，在拾取时，会有相邻于要拾取的芯片的芯片附随地被拾取的拾取错误(双重切割)的问题。

因此，本发明的目的在于提供降低因胶粘剂层吸收空气中的水分而软化的情形，而可以抑制拾取(pick-up)错误的发生的粘结膜及半导体晶片加工用带。

用于解决问题的方法

为了解决前述课题，本发明的粘结膜，其特征在于，其是包括基材膜及被设于该基材膜上的粘结剂层的粘结膜，透湿度为10.0g/m²/day以下。

此外，本发明的半导体晶片加工用带，其特征在于，其具有：包括基材膜及被设于该基材膜上的粘结剂层的粘结膜，及被设于前述粘结剂层上的胶粘剂层的晶片加工用带，其中，前述粘结膜的透湿度为10.0g/m²/day以下。

此外，在前述半导体晶片加工用带中，前述粘结膜与前述胶粘剂层合计的吸水率优选在2.0体积％以下。

发明效果

本发明的粘结膜及半导体晶片加工用带，在胶粘剂层被接合于粘结膜而被输送/保管的情况下，降低由于胶粘剂层吸收空气中的水分而导致软化的情形，可以抑制拾取错误的发生。

附图说明

图1是表示本发明的半导体晶片加工用带的一例的剖面图。

图2的(a)是表示半导体晶片W与环状框被贴合于半导体晶片加工用带的状态的剖面图，(b)是表示切割后的半导体晶片加工用带与半导体晶片的剖面图，(c)是表示展开后的半导体晶片加工用带与半导体晶片的剖面图。

具体实施方式

以下，根据附图详细说明本发明的实施方式。

本实施方式涉及的半导体晶片加工用带15，如图1所示，其是具有在基材膜11上层压了粘结剂层12的粘结膜14，在粘结剂层12上层压了胶粘剂层13的切割/模片接合膜(die bonding film)。另外，粘结剂层12及胶粘剂层13，配合于使用工序或装置而被预先切断为特定形状(预切)也可。相应于晶片W(参照图2(a))层压被预切的胶粘剂层13的情况下，在晶片W被贴合的部分有胶粘剂层13，在切割用的环状框20(参照图2(a))被贴合的部分没有胶粘剂层13仅存在粘结剂层12。一般而言，胶粘剂层13不易与被胶粘体剥离，所以通过使用被预切的胶粘剂层13，环状框20可贴合于粘结剂层12，可得到不容易产生对使用后的环状框20的糊残留的效果。此外，本发明的半导体晶片加工用带15包括每1张晶片被切断而层压的形态以及形成多个晶片的长条薄片卷取为滚筒状的形态。以下，针对基材膜11、粘结剂层12、及胶粘剂层13分别详细说明。

<基材膜>

作为构成基材膜的材料，没有特别限定，优选选自聚烯烃及聚氯乙烯。

作为前述聚烯烃，可以举出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离子聚合物(ionomer)等的α-烯烃的均聚物或共聚物或这些的混合物等。

作为后述的粘结剂层使用通过放射线照射而固化且粘结力降低的类型的情况下，基材膜优选为放射线透过性。从强度及芯片的拾取性的确保的观点来看，基材膜的厚度优选为50～300μm。此外，基材膜可为单层，也可以多层构成。