[发明专利]使用石墨烯对比度增强层的光刻

权利要求书

1.一种形成结构的方法，所述方法包括：

在衬底上涂覆光致抗蚀剂层；

在光致抗蚀剂层上涂覆石墨烯层；

通过掩模向石墨烯层施加光，其中掩模包括图案，并且施加光的操作通过石墨烯层在光致抗蚀剂层上形成所述图案。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在通过掩模施加光之后，从光致抗蚀剂层去除石墨烯层。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括使用干法刻蚀技术去除石墨烯层。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括通过将石墨烯层暴露到氧等离子体中来去除石墨烯层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中向衬底涂覆光致抗蚀剂层包括向硅衬底涂覆光致抗蚀剂层。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过其他掩模向石墨烯层施加光，其中所述其他掩模包括其他图案，并且施加光的操作通过石墨烯层在光致抗蚀剂层上形成所述其他图案。

7.根据权利要求1所述的方法，其中向光致抗蚀剂层涂覆石墨烯层包括将石墨烯层滚轧到光致抗蚀剂层上。

8.根据权利要求1所述的方法，其中向衬底涂覆光致抗蚀剂层包括将光致抗蚀剂层旋涂到衬底上。

9.根据权利要求1所述的方法，其中通过掩模向石墨烯层施加光还包括通过掩模向石墨烯层施加波长为约157nm的光。

10.一种结构，包括：

衬底；

衬底上的光致抗蚀剂层；以及

光致抗蚀剂层上的石墨烯层。

11.根据权利要求10所述的结构，其中衬底包括甲硅烷基化剂。

12.根据权利要求10所述的结构，其中：

石墨烯层具有第一宽度和第一长度；

光致抗蚀剂层具有第二宽度和第二长度；

第一宽度实质上等于第二宽度；以及

第一长度实质上等于第二长度。

13.根据权利要求12所述的结构，其中石墨烯层具有约一个原子的高度。

14.一种用于形成结构的系统，所述系统包括：

处理器；

光源，设置为与处理器通信；

掩模，其中所述掩模包括图案；

衬底；

衬底上的光致抗蚀剂层；以及

光致抗蚀剂层上的石墨烯层；

其中处理器配置为通过掩模向石墨烯层施加光，其中光用于通过石墨烯层在光致抗蚀剂层上形成图案。

15.根据权利要求14所示的系统，还包括设置在掩模和石墨烯层之间的光学系统，其中所述光学系统配置为对光进行折射，并改变掩模和衬底之间的图案的放大率。

16.根据权利要求14所述的系统，还包括：

第一工作台，其中掩模设置在第一工作台上；

第二工作台，其中衬底设置在第二工作台上；以及

其中第一工作台相对于第二工作台是可移动的。

17.根据权利要求16所述的系统，其中：

处理器设置为与第一工作台和第二工作台通信；以及

处理器配置为控制第一工作台相对于第二工作台移动。

18.根据权利要求14所述的系统，其中光源用于输出具有波长为约157nm的光。

19.根据权利要求15所述的系统，其中光致抗蚀剂包括甲硅烷基化剂。

20.根据权利要求15所述的系统，其中：

石墨烯层具有第一宽度和第一长度；

光致抗蚀剂层具有第二宽度和第二长度；

第一宽度实质上等于第二宽度；

第一长度实质上等于第二长度；以及

石墨烯层具有约一个原子的高度。