[发明专利]CMOS工艺中的RF开关实现方式在审
| 申请号: | 201080069202.1 | 申请日: | 2010-09-21 |
| 公开(公告)号: | CN103201954A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
| 发明(设计)人: | Y·哈森;A·莫斯托夫 | 申请(专利权)人: | DSP集团有限公司 |
| 主分类号: | H03K17/693 | 分类号: | H03K17/693;H04B1/48 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 杨晓光;于静 |
| 地址: | 以色列赫*** | 国省代码: | 以色列;IL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | cmos 工艺 中的 rf 开关 实现 方式 | ||
1.一种开关,用于在四个选项之间选择,所述开关包含至少四个晶体管,其中在任意时刻,至多一个晶体管处于“导通”状态,其中所述开关是片上开关。
2.根据权利要求1所述的开关,其中所述开关是双极双通开关。
3.根据权利要求1所述的开关,其中所述开关用在无绳电话的基站中。
4.根据权利要求2所述的开关,其中所述开关在两个天线之间以及在发射和接收状态之间选择。
5.根据权利要求1所述的开关,其中所述至少四个晶体管中的至少一个是N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。
6.根据权利要求1所述的开关,还包含至少一个向所述至少四个晶体管中的至少一个提供电压的控制电路。
7.根据权利要求6所述的开关,其中所述控制电路包含:
用于向至少一个晶体管的漏极提供零或负电压的组件;
用于向至少一个晶体管的源极提供正电压的组件;以及
用于向至少一个晶体管的栅极提供交流电压的组件。
8.根据权利要求1所述的开关,其中所述至少四个晶体管中的至少一个是N沟道金属氧化物半导体。
9.一种无线通信设备,其具有手持机和基站,所述基站包含:
第一天线和第二天线,所述第一天线和第二天线中的每一个操作为发射和接收数据;以及
开关,用于在发射和接收模式中操作所述第一和第二天线,所述开关包含四个晶体管,所述四个晶体管中的每一个具有其自己的控制电路,所述开关位于所述基站的芯片上。
10.根据权利要求9所述的无线通信设备,其中所述手持机包含具有四个晶体管的开关,所述开关位于所述手持机的芯片上。
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