[发明专利]光电动势装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光电动势装置，其特征在于，具备：

第1导电类型的半导体基板，在一面侧具有扩散了第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层；

反射防止膜，形成于所述杂质扩散层上；

第1电极，贯通所述反射防止膜而与所述杂质扩散层电连接；

背面绝缘膜，具有到达所述半导体基板的另一面侧的多个开口部而形成于所述半导体基板的另一面侧；

第2电极，形成于所述半导体基板的另一面侧；以及

背面反射膜，由通过气相生长法形成的金属膜构成、或者包括金属箔而构成，至少在所述背面绝缘膜上覆盖地形成，

所述第2电极包括：

铝类电极，由包含铝的材料构成，在所述半导体基板的另一面侧至少被埋入到所述开口部而与所述半导体基板的另一面侧连接；以及

银类电极，由包含银的材料构成，在所述半导体基板的另一面侧设置于所述开口部之间的区域，至少一部分贯通所述背面绝缘膜与所述半导体基板的另一面侧电连接，并且经由所述背面反射膜与所述铝类电极电连接，

所述半导体基板的面内的所述银类电极的面积、和使所述银类电极的图案在所述半导体基板的面内向外侧扩张了与所述半导体基板内的载流子的扩散长度相应大小的周边区域的面积之和是所述半导体基板的另一面侧的面积的10％以下。

2.根据权利要求1所述的光电动势装置，其特征在于，

所述银类电极的面积和所述周边区域之和是所述半导体基板的另一面侧的面积的8％以下。

3.根据权利要求1或者2所述的光电动势装置，其特征在于，

所述半导体基板是硅基板，所述扩散长度是500μm以上。

4.根据权利要求1或者2所述的光电动势装置，其特征在于，

所述半导体基板是硅基板，所述扩散长度是300μm以上。

5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的光电动势装置，其特征在于，

所述背面绝缘膜是通过等离子体CVD法形成的氮化硅膜。

6.根据权利要求1～4中的任意一项所述的光电动势装置，其特征在于，

所述背面绝缘膜是通过热氧化形成的氧化硅膜和通过等离子体CVD法形成的氮化硅膜从所述半导体基板的另一面侧层叠了的层叠膜。

7.根据权利要求6所述的光电动势装置，其特征在于，

所述氧化硅膜的厚度是10nm以上且50nm以下。

8.根据权利要求5或者6所述的光电动势装置，其特征在于，

所述氮化硅膜的折射率是1.9以上且2.2以下，厚度是60nm以上且小于240nm。

9.根据权利要求5或者6所述的光电动势装置，其特征在于，

所述氮化硅膜的折射率是1.9以上且2.2以下，厚度是60nm以上且小于160nm。

10.根据权利要求1～4中的任意一项所述的光电动势装置，其特征在于，

所述开口部的直径或者宽度是20μm～200μm的大小，相邻的所述开口部之间的间隔是0.5mm～2mm的大致圆形的点状或者大致矩形形状。

11.根据权利要求1～4中的任意一项所述的光电动势装置，其特征在于，

所述开口部的宽度是20μm～200μm，相邻的所述开口部之间的间隔是0.5mm～3mm的条纹状。

12.根据权利要求10或者11所述的光电动势装置，其特征在于，

所述铝类电极被埋入到所述开口部并且在所述背面绝缘膜上重叠地形成。

13.根据权利要求12所述的光电动势装置，其特征在于，

从所述开口部的端部以10μm～50μm的宽度在所述背面绝缘膜上重叠地形成了所述铝类电极。

14.根据权利要求1～4中的任意一项所述的光电动势装置，其特征在于，

所述金属箔是铝箔。

15.根据权利要求1～4中的任意一项所述的光电动势装置，其特征在于，

所述金属箔通过导电性粘接剂附着设置于所述铝类电极并且经由所述导电性粘接剂与所述铝类电极电连接。