[发明专利]太赫兹相控阵列系统

权利要求书

1.一种装置，其包括：

本地振荡器，其生成本地振荡器信号和脉冲信号；

分发网络，其耦合到所述本地振荡器，以便至少分发所述本地振荡器信号；

多个收发器，其中每一个收发器具有辐射器、耦合到所述辐射器的发射路径以及耦合到所述辐射器的接收路径，其中每一个收发器的所述发射路径包括：

移相器，其耦合到所述分发网络以便接收所述本地振荡器信号；

倍增器，其耦合到所述移相器以便接收移相的本地振荡器信号；

注入锁定压控振荡器，即ILVCO，其耦合到所述倍增器；以及

功率放大器，即PA，其耦合到所述ILVCO并且接收所述脉冲信号；以及

接收器电路，其耦合到每一个所述收发器的所述接收路径。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述本地振荡器信号还包括第一本地振荡器信号，并且其中所述本地振荡器还包括：

锁相环，即PLL，其接收基准信号并且生成所述第一振荡器信号和第二本地振荡器信号；

计数器，其接收控制信号并且耦合到所述PLL；以及

脉冲发生器，其耦合到所述计数器和所述PLL，其中所述脉冲发生器至少部分基于所述第二本地振荡器信号和来自所述计数器的输出而生成所述脉冲信号。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述PLL还包括：

相位检测器，其接收所述基准信号；

电荷泵，其耦合到所述相位检测器；

低通滤波器，其耦合到所述电荷泵；

压控振荡器，即VCO，其耦合到所述低通滤波器；

放大器，其耦合到所述VCO；以及

多个分频器，其彼此串联耦合在所述VCO和所述相位检测器之间。

4.根据权利要求2所述的装置，其中每一个收发器的所述发射路径还包括放大器，所述放大器耦合在所述移相器和所述倍增器之间。

5.根据权利要求4所述的装置，其中所述ILVCO还包括：

第一节点；

第二节点；

感性网络，其耦合在所述第一节点和所述第二节点之间；

容性网络，其耦合在所述第一节点和所述第二节点之间；

第一MOS晶体管，其在其源极或其漏极处耦合到所述第一节点，并且在其栅极处耦合到所述第二节点；

第二MOS晶体管，其在其源极或其漏极处耦合到所述第二节点，并且在其栅极处耦合到所述第一节点；

第三MOS晶体管，其大致并联耦合到所述第一MOS晶体管；

第四MOS晶体管，其大致并联耦合到所述第二MOS晶体管；以及

平衡/不平衡变换器，其耦合到所述放大器并且耦合到所述第三MOS晶体管和所述第四MOS晶体管的栅极。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述PA还包括：

第一电容器，其接收来自所述ILVCO的输出；

第一电感器，其耦合到所述第一电容器；

第二电感器，其耦合到所述第一电感器；

第二电容器，其耦合到所述第二电感器；

第三电感器；

第五MOS晶体管，所述第五MOS晶体管在其栅极处耦合到所述第一电感器和所述第二电感器，并且所述第五MOS晶体管耦合到所述第三电感器；

第四电感器；

第五电感器；

第六MOS晶体管，所述第六MOS晶体管在其栅极处接收所述脉冲信号，并且所述第六MOS晶体管耦合在所述第四电感器和所述第五电感器之间；以及

第三电容器，其耦合在所述第三电感器和所述第五电感器之间。

7.根据权利要求4所述的装置，其中所述放大器还包括第一放大器，并且其中所述倍增器还包括第一倍增器，并且其中每一个收发器的所述接收路径还包括：

低噪声放大器，即LNA，其耦合到所述辐射器；

第二倍增器，其耦合到所述第一放大器；

第二放大器，其耦合到第二倍增器；

混频器，其耦合到所述LNA和所述第二放大器；以及

第三放大器，其耦合到所述混频器。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述混频器还包括第一混频器，并且其中每一个收发器的所述接收路径还包括：

第二混频器，其耦合到所述第一放大器和所述第三放大器；以及

第四放大器，其耦合到所述第二混频器。