[发明专利]具有处于薄膜片材中且基本垂直于衬底的电极的压电机构

权利要求书

1. 一种制造压电机构的方法，包括：

在衬底上形成第一电极和第二电极，所述第二电极与所述第一电极相间交叉，所述第一电极和所述第二电极具有至少基本垂直于所述衬底的侧表面；

在所述衬底上以及相邻的第一电极和第二电极的所述侧表面之间沉积材料以形成薄膜片材，在所述薄膜片材中，所述第一电极和所述第二电极从所述薄膜片材的第一表面朝向所述薄膜片材的与所述第一表面相反的第二表面延伸，

其中，所述薄膜片材将响应通过在所述第一电极和所述第二电极上施加电压而在所述薄膜片材中感生的电场物理地变形。

2. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电极和所述第二电极被形成在所述衬底上，并且所述材料被沉积在所述衬底上以形成所述薄膜片材，从而使得：

沿着与其上形成有所述第一电极和所述第二电极并且其上沉积有所述材料的所述衬底的表面平行的平面，所述薄膜片材相比于所述第一电极和所述第二电极占据了所述平面的更大部分，并且

沿着所述平面的给定轴线，所述薄膜片材在所述第一和第二电极的侧表面之间被极化并且至少基本垂直于所述第一电极和所述第二电极的侧表面。

3. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电极和所述第二电极的所述侧表面与所述衬底成一角度，该角度在70和105度之间。

4. 根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一电极和所述第二电极与所述衬底所成的角度在80和85度之间。

5. 根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述衬底上以及相邻的第一电极和第二电极的所述侧表面之间沉积所述材料以形成所述薄膜片材之前，在所述第一电极和所述第二电极上形成导电层，但并不在暴露于所述第一电极和所述第二电极之间的所述衬底上形成导电层。

6. 根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述导电层包括：

在所述第一电极和所述第二电极上并且在暴露于所述第一电极和所述第二电极之间的所述衬底上沉积导电层；

在所述导电层上形成图案化掩膜层，所述图案化掩膜层具有与至少所述第一电极和所述第二电极之间的空间相对应的孔；

去除所述掩膜层通过所述图案化掩膜层的所述孔而暴露之处的所述衬底上的所述导电层，由于所述图案化掩膜层保护至少在所述第一电极和所述第二电极的所述侧表面上的所述导电层，因此所述导电层剩余在至少所述第一电极和所述第二电极的侧表面上；以及

去除所述图案化掩膜层。

7. 根据权利要求1所述的方法，其中，在所述衬底上沉积所述材料以形成所述薄膜片材包括：在所述衬底上沉积所述材料以形成所述薄膜片材，在这一薄膜片材中，所述第一电极和所述第二电极从所述薄膜片材的所述第一表面延伸到所述薄膜片材的所述第二表面。

8. 根据权利要求1所述的方法，进一步包括：至少部分地在所述第一电极和所述第二电极的上表面上形成表面电极，所述表面电极连接到电压源，通过所述电压源实现在所述第一电极和所述第二电极上施加电压。

9. 根据权利要求8所述的方法，其中，至少部分地在所述第一电极和所述第二电极的上表面上形成所述表面电极包括：

对所述薄膜片材进行平坦化以暴露所述第一电极和所述第二电极；

在所述薄膜片材上形成图案化掩膜层，所述图案化掩膜层具有暴露出所述第一电极和所述第二电极的孔；

在所述图案化掩膜层的所述孔中沉积导电材料；以及

去除所述图案化掩膜层，从而使得剩余的所述导电材料形成所述表面电极。

10. 根据权利要求1所述的方法，其中，在所述衬底上形成所述第一电极和所述第二电极包括：

在所述衬底上沉积导电层；

在所述导电层上形成图案化掩膜层，所述图案化掩膜层具有与所述第一电极和所述第二电极相对应的孔；

在所述孔中电化学沉积导电材料，从而使得所述导电材料形成所述第一电极和所述第二电极；以及

去除剩余在所述导电层之上的所述图案化掩膜层，

其中，所述导电层有助于所述导电材料在所述孔内的电化学沉积。