[发明专利]太阳能电池

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池。

背景技术

近些年，特别是从保护地球环境的观点出发，对将太阳能转换为电能的太阳能电池作为下一代能源的期待日益高涨。太阳能电池有使用化合物半导体的太阳能电池和使用有机材料的太阳能电池等各种各样的种类，但是目前，以使用晶体硅的太阳能电池为主流。

目前，绝大多数生产和销售的太阳能电池是在太阳光入射一侧的表面（受光面）形成n电极，在受光面的相反侧的表面（背面）形成p电极的两面电极型太阳能电池。

另外，例如日本特开2006-332273号公报（专利文献1）中公开了，在太阳能电池的受光面不形成电极，只在与太阳电池的受光面相反一侧的背面形成n电极及p电极的背面电极型太阳能电池。

图10表示在专利文献1中记载的背面电极型太阳能电池的n型硅基板的背面上杂质扩散区域的图案的示意性平面图。

在专利文献1中记载的背面电极型太阳能电池的n型硅基板161的背面，由一条带状n型掺杂区域162和一条带状p型掺杂区域163构成杂质扩散区域的图案。而n型掺杂区域162上形成n电极，p型掺杂区域163上形成p电极。

另外，为了方便说明，在图10中n型掺杂区域162及p型掺杂区域163分别只示出了一条，但实际上，n型掺杂区域162及p型掺杂区域163分别存在多条，n型掺杂区域162及p型掺杂区域163彼此隔着规定的间隔逐条交错地配置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：（日本）特开2006-332273号公报

发明内容

所要解决的技术问题

在专利文献1中，记载了通过使p型掺杂区域163的面积率在60%以上80%以下可以得到具有高转换效率的背面电极型太阳能电池，但是需要进一步能够使转换效率稳定地提高的太阳能电池。

鉴于以上原因，本发明的目的是提供转换效率能够进一步稳定地提高的太阳能电池。

解决技术问题的手段

本发明的太阳能电池具有基板、在基板的一侧表面上相邻设置的多条带状p型杂质扩散区域和多条带状n型杂质扩散区域、以及设置于n型杂质扩散区域上的n型用电极，基板表面上的p型杂质扩散区域的面积率为60%以上，相邻的p型杂质扩散区域的间隔为400μm以下。

在此，本发明的太阳能电池中，优选相邻的n型用电极的间隔为1mm以上。

或者，本发明的太阳能电池具有基板、在基板的一侧表面上相邻设置的多条带状p型杂质扩散区域和多条带状n型杂质扩散区域，基板表面上的p型杂质扩散区域的面积率大于80%，相邻的p型杂质扩散区域的间隔为400μm以下。

而且，本发明的太阳能电池中，优选相邻的p型杂质扩散区域的间隔为100μm以上。

另外，本发明的太阳能电池中，优选p型杂质扩散区域的面积率为90%以下。

发明的效果

根据本发明，可提供转换效率能够进一步稳定提高的太阳能电池。

附图说明

图1为本发明的太阳能电池的一个例子即背面电极型太阳能电池的一个例子的示意性截面图。

图2（a）～（g）为就图1所示的背面电极型太阳能电池的制造方法的一个例子进行图解的示意性截面图。

图3为图1所示的背面电极型太阳能电池基板背面的示意性平面图。

图4为用于模拟的背面电极型太阳能电池的示意性截面图。

图5为表示通过模拟评价背面电极型太阳能电池短路电流密度与基区宽度之间关系的结果的图。

图6为表示通过模拟评价背面电极型太阳能电池短路电流密度与p+面积率之间关系的结果的图。

图7为表示通过模拟评价背面电极型太阳能电池开路电压与p+面积率之间关系的结果的图。

图8为表示通过模拟评价背面电极型太阳能电池转换效率与p+面积率之间关系的结果的图。

图9为表示背面电极型太阳能电池的FF与p+面积率之间关系的图。

图10为在专利文献1中记载的背面电极型太阳能电池的n型硅基板背面杂质扩散区域的图案的示意性平面图。

具体实施方式

以下就本发明的实施方式进行说明。另外，在本发明中，同样的附图标记代表同一部分或相当的部分。

图1中示出了本发明的太阳能电池的一个例子即背面电极型太阳能电池的一个例子的示意性截面图。