[发明专利]光电动势装置的制造方法以及光电动势装置的制造装置无效
| 申请号: | 201080066804.1 | 申请日: | 2010-05-17 |
| 公开(公告)号: | CN102893409A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
| 发明(设计)人: | 桂智毅;西村邦彦;西村慎也;冈本达树;藤川周一 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 金光华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电动势 装置 制造 方法 以及 | ||
1.一种光电动势装置的制造方法,使用单晶硅基板,利用抗蚀刻膜的激光构图和湿蚀刻而在光电动势装置表面形成防反射纹理,所述光电动势装置的制造方法的特征在于,包括:
第一工序,通过所述激光构图,形成由多个孔构成的激光孔部;以及
第二工序,通过湿蚀刻来形成以所述各孔为基础而具有正方形形状底面、并从所述硅基板表面观看时成为逆金字塔状的与所述孔相同数量的方锥状凹部之后,包括与所述孔相同数量的所有方锥状凹部,形成与该方锥状凹部的正方形形状底面的多个方锥状凹部的数量大致相同数量倍的尺寸的方锥状凹部。
2.一种光电动势装置的制造方法,使用单晶硅基板,利用抗蚀刻膜的激光构图和湿蚀刻而在光电动势装置表面形成防反射纹理,所述光电动势装置的制造方法的特征在于,包括:
第一工序,通过所述激光构图,形成由多个孔构成的激光孔部;以及
第二工序,通过湿蚀刻来形成以所述各孔为基础而具有正方形形状底面、并从所述硅基板表面观看时成为逆金字塔状的与所述孔相同数量的方锥状凹部之后,包括与所述孔相同数量的所有方锥状凹部,在该方锥状凹部的正方形形状底面的对角线方向中的所有方锥状凹部连接成一条直线状的方向上形成与所述多个方锥状凹部的数量大致相同数量倍的尺寸的方锥状凹部。
3.根据权利要求2所述的光电动势装置的制造方法,其特征在于,
用于所述激光构图的激光波束是脉冲激光,
该激光构图是使用所述脉冲激光以及将所述激光波束分支到具有既定的几何学的周期构造的激光波束分支图案的激光波束分割部件而形成的,
该激光构图形成由多个激光孔构成的激光孔部,并且使所述激光孔部的各孔部之间的最短的间距比属于所述激光孔部的任意的2个激光孔之间的最短的间距大。
4.根据权利要求3所述的光电动势装置的制造方法,其特征在于,
在所述激光波束分支图案中,将接近的激光波束之间的距离设定为激光波束聚光直径的2倍以上。
5.根据权利要求3所述的光电动势装置的制造方法,其特征在于,
将所述激光波束分支图案的间距设为一种,通过激光脉冲的定时的调整来进行激光构图。
6.根据权利要求3所述的光电动势装置的制造方法,其特征在于,
关于所述激光孔部的各激光孔之间的间距,至少包含1组孔,该1组孔至少由2个构成且是等间距。
7.根据权利要求1~3所述的光电动势装置的制造方法,其特征在于,
所述激光孔部的各激光孔的形状是包括尺寸大的方向和尺寸小的方向的细长的形状。
8.根据权利要求1~7所述的光电动势装置的制造方法,其特征在于,
所述湿蚀刻包括改变了蚀刻液的组成的2种以上的蚀刻。
9.一种光电动势装置的制造装置,使用单晶硅基板,利用抗蚀刻膜的激光构图和湿蚀刻而在光电动势装置表面形成防反射纹理,所述光电动势装置的制造装置的特征在于,
通过所述激光构图,形成由多个孔构成的激光孔部,并且,
通过湿蚀刻来形成以所述各孔为基础而具有正方形形状底面、并从所述硅基板表面观看时成为逆金字塔状的与所述孔相同数量的方锥状凹部之后,包括与所述孔相同数量的所有方锥状凹部,在该方锥状凹部的正方形形状底面的对角线方向中的所有方锥状凹部连接成一条直线状的方向上形成与所述多个方锥状凹部的数量大致相同数量倍的尺寸的方锥状凹部。
10.根据权利要求9所述的光电动势装置的制造装置,其特征在于,
用于所述激光构图的激光波束是脉冲激光,
该激光构图是使用所述脉冲激光以及将所述激光波束分支到具有既定的几何学的周期构造的激光波束分支图案的激光波束分割部件而形成的,
该激光构图形成由多个激光孔构成的激光孔部,并且使所述激光孔部的各孔部之间的最短的间距比属于所述激光孔部的任意的2个激光孔之间的最短的间距大。
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