[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，半导体元件与面对该半导体元件的一个表面或两个表面而配置的一片或两片散热板通过树脂被模制，所述半导体装置的特征在于，

在所述半导体元件与所述散热板中的一者或两者上形成有通过冷喷涂法喷射金属粉末而成膜的中间层，所述半导体元件与所述散热板夹着所述中间层并通过焊料而接合。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述散热板是配置在所述半导体元件的两个表面上的第一电极和第二电极，所述中间层是配置在所述半导体元件与所述第一电极之间的块电极，该块电极被成膜在所述第一电极上，并通过焊料与所述半导体元件接合。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述块电极被形成为其截面积朝向所述第一电极而扩大。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述块电极被形成为其截面积朝向所述第一电极连续或逐步扩大。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述散热板是配置在所述半导体元件的两个表面上的第一电极和第二电极，所述中间层是配置在所述半导体元件与所述第一电极之间的块电极，该块电极被成膜在所述半导体元件上，并通过焊料与所述第一电极接合。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件设置有用于保护所述半导体元件免受冷喷涂所产生的冲击的金属膜，所述中间层被形成在该金属膜上。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述半导体元件的中央部分设置有用于保护所述半导体元件免受冷喷涂所产生的冲击的金属膜，并在所述半导体元件的周缘部分设置有用于防止该周缘部分通过冷喷涂被喷射粉末的保护膜，所述中间层被形成在除所述周缘部分的保护膜之外的所述金属膜上。

8.如权利要求6或7所述的半导体装置，其特征在于，

所述金属膜形成为双层，直接设置在所述半导体元件上的金属膜由比通过冷喷涂喷射的粉末更硬的材料形成。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述中间层是与焊料层一起设置的，所述焊料层将面对所述半导体元件的一个表面而配置的散热板和所述半导体元件接合，所述中间层被成膜在所述散热板上，并且在所述焊料层中设置有一个或两个以上的柱形的突起部。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述中间层包括：呈平板形状地成膜在所述散热板上的平板部、以及以从该平板部突出的方式形成的所述突起部，所述焊料层设置在所述平板部与所述半导体元件之间。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

所述中间层的突起部包括分别配置在所述半导体元件的各角部附近的突起部。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

所述中间层的突起部包括配置在所述半导体元件的中央部分的突起部。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

在所述中间层中，配置在所述半导体元件的中央部分的所述突起部大于配置在角部附近的所述突起部。

14.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述散热板是配置在所述半导体元件的两个表面上的第一电极和第二电极，

所述中间层是所述半导体元件与所述第一电极之间的块电极、以及和将所述半导体元件与所述第二电极接合的焊料层一起设置的支撑块，

所述块电极被成膜在所述半导体元件或所述第一电极上，并通过焊料而与所述第一电极或所述半导体元件接合，

所述支撑块被成膜在所述第二电极上，并且在所述焊料层中设置有一个或两个以上的柱形的突起部。

15.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述散热板是配置在所述半导体元件的两个表面上的第一电极和第二电极，所述中间层是带突起的块电极，所述带突起的块电极被成膜在所述半导体元件或所述第一电极上，并在与所述第一电极或所述半导体元件接合的焊料层中设置有一个或两个以上的柱形的突起部。